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goto3d 说: 版主微信号:caivin811031;还未入三维微信群的小伙伴,速度加
2022-07-04
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goto3d 说: 此次SW竞赛获奖名单公布如下,抱歉晚了,版主最近太忙:一等奖:塔山817;二等奖:a9041、飞鱼;三等奖:wx_dfA5IKla、xwj960414、bzlgl、hklecon;请以上各位和版主联系,领取奖金!!!
2022-03-11
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[讨论] 最新内置电源SD6602D/SD6604D士兰微方案

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发表于 2016-5-24 20:03:11 | 显示全部楼层 |阅读模式

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低成本  DIP封装  散热好  
D6604D   18-24瓦   输出280MA 电流方案  单电压  Q Q 2892715427
0 d0 j& \6 f# f/ P" l
  SD660X 系列 IC 是一款高精度、低成本的原边反馈 LED 恒流驱动芯片,此芯片采用特有的恒流控制技术,不需要 光隔离器、次级反馈控制、环路补偿及变压器辅助绕组等,降低系统成本和体积,具有非常高的稳定性和平均效率。
    此芯片工作于断续模式,通过峰值电流采样电阻设定输出电流。  

) g, R6 G1 c  h" r8 X% b# K
SD660X 为内置650V 高压 MOS 管,适用于输出 功率 15W 以下,其中SD6601S,输出功率为 1-5W,SOP-7 封装
9 d8 F% h8 v( w. G2 i3 B
PCB 布线     
1).尽量减小功率环路的面积,减少 EMI 辐射;  
  2).尽量加大 IC 的DRAIN  引脚覆铜面积,用于增加芯片散热面积;但DRAIN 太大也会影响 EMI 辐射,请做的适当 考虑;  
  3).尽量将VCC 的旁路电容靠近芯片引脚;  
  4).尽量减小采样电阻的地线与功率地的长度;

+ T6 U4 |; W6 B: x; z$ U$ ^

$ {4 |! v: F% R0 }0 ]
    典型的选择如输入电容范围为90Vac-264Vac,输入电容大小为2~3uF/W。

6 s- K+ J. T  X, t+ i
整机效率偏低的问题  

; ^' Q- f; ~: F+ |% H5 r* |$ m
   1).变压器设计不合理,比如线径太细、匝数太多、漏感偏大等等因素;

8 a. H- |& O' I1 W- ~5 x; ?5 Z
   2).整机系统工作频率太高,导致开关损耗增加;
6 C2 ?+ `& Q" I6 E; Y: ~$ O
   3).启动电阻太小,造成高压输入时,损耗加大;
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   4).输出整流二极管的选择不当,也会造成效率偏低;

7 \1 y$ s# K9 b$ [* J

- A3 H+ t2 ?5 U. ^9 o
   5).输出滤波电容选择不当,会造成输出损耗偏大,而引起效率偏低

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5.png 22.png % q; I2 b" K6 ]: ?; L% p

/ m9 U4 x8 h2 p7 |1 O/ c
 楼主| 发表于 2016-5-24 20:08:46 | 显示全部楼层
8 e( t, R! D5 g9 j* O& n

- s) K( p; m+ P1 M0 Y0 g低成本  DIP封装  散热好  0 x, P* u" Z! e" M9 O7 o
D6604D   18-24瓦   输出280MA 电流方案  单电压  

SD660X应用说明书_0.1.pdf

357.46 KB, 下载次数: 1

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