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[讨论] 最新内置电源SD6602D/SD6604D士兰微方案

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发表于 2016-5-24 20:03:11 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自: 中国广东中山

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低成本  DIP封装  散热好  
D6604D   18-24瓦   输出280MA 电流方案  单电压  Q Q 2892715427
  `- d- z( y1 b& D4 R
  SD660X 系列 IC 是一款高精度、低成本的原边反馈 LED 恒流驱动芯片,此芯片采用特有的恒流控制技术,不需要 光隔离器、次级反馈控制、环路补偿及变压器辅助绕组等,降低系统成本和体积,具有非常高的稳定性和平均效率。
    此芯片工作于断续模式,通过峰值电流采样电阻设定输出电流。  
  ?. q7 w7 e) n
SD660X 为内置650V 高压 MOS 管,适用于输出 功率 15W 以下,其中SD6601S,输出功率为 1-5W,SOP-7 封装
. ^: c. v5 e9 h6 H5 K; w
PCB 布线     
1).尽量减小功率环路的面积,减少 EMI 辐射;  
  2).尽量加大 IC 的DRAIN  引脚覆铜面积,用于增加芯片散热面积;但DRAIN 太大也会影响 EMI 辐射,请做的适当 考虑;  
  3).尽量将VCC 的旁路电容靠近芯片引脚;  
  4).尽量减小采样电阻的地线与功率地的长度;

$ t$ N: `' K: ^# e7 M" i$ r1 g6 K

2 G- Q! T1 k5 ^8 B
    典型的选择如输入电容范围为90Vac-264Vac,输入电容大小为2~3uF/W。

9 Q; Q- C) q) a+ D
整机效率偏低的问题  

( j/ c% t' v6 w' a8 `6 }7 `9 T% R5 L
   1).变压器设计不合理,比如线径太细、匝数太多、漏感偏大等等因素;
' C5 K4 }! u# ^/ S$ ]$ @( S
   2).整机系统工作频率太高,导致开关损耗增加;
4 a. w! J- P* r4 D2 z, i6 z3 v1 e& f
   3).启动电阻太小,造成高压输入时,损耗加大;
. s3 g# V" A7 o4 C4 U  v2 p! i
   4).输出整流二极管的选择不当,也会造成效率偏低;
2 [7 R: h/ b; p* r, f$ `3 M3 A

  A9 K% |2 J8 B% i0 W) T% B
   5).输出滤波电容选择不当,会造成输出损耗偏大,而引起效率偏低

1 r! I) S; N5 m+ f0 x
5.png 22.png 4 N9 G5 I- r$ a: I  W" o( Y
0 E* M' a# y! J+ t; e+ e2 J
 楼主| 发表于 2016-5-24 20:08:46 | 显示全部楼层 来自: 中国广东中山

, Y: y. _* t2 j/ j2 X  D  A; r  p' c! K
低成本  DIP封装  散热好  
9 d6 }( J- o  A) ~D6604D   18-24瓦   输出280MA 电流方案  单电压  

SD660X应用说明书_0.1.pdf

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