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发表于 2007-6-29 08:25:04
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来自: 中国广东汕头
回复 #3 zhoujd 的帖子
PN结有单向导电性,正向电阻小,反向电阻很大。 5 t9 u1 T- ~( \4 Y+ A/ c
当反向电压增大到一定数值时,反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。
3 i2 I. O. `% {: {( c, ]7 C雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时,载流子倍增就像雪崩一样,增加得多而快。 . A/ {7 G2 G4 o( M! N
利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管
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雪崩击穿是在电场作用下,载流子能量增大,不断与晶体原子相碰,使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对,这就是倍增效应。1生2,2生4,像雪崩一样增加载流子。
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- w( j f/ e' R5 q/ M% B齐纳击穿完全不同,在高的反向电压下,PN结中存在强电场,它能够直接破坏!共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对,形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大!只有在杂质浓度特别大!!的PN结才做得到。(杂质大电荷密度就大) , P# z/ j# K5 R1 K
一般的二极管掺杂浓度没这么高,它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中,就是稳压二极管 |
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