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发表于 2007-9-6 23:01:28
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来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴2 m, D* ]4 v9 F/ I
(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)
5 N$ l+ e9 |% ^- Q4 ~: i摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体
' P3 [3 }* `. O" S硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间
/ {* @/ r& Y* A( N3 @. N) B和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化
" U1 @0 D. O) u; o: a/ Q度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %
& E3 d9 ]' S `9 [, `# N1 |的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.& a+ k% r! v: |2 Z( k' h* @" i$ O) A
关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD): L! w; p: P% s& E0 S, a
PACC: 7340L ; 7360F ; 8115H- p) w+ A3 J3 {+ k7 S) k2 u
中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
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