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硅中注入硼的扩散
k% ~- ?5 p* R, K, j孔凡志, 文勇军, 廖家欣, 唐贵平
2 s2 m8 W m5 W2 R% S(长沙电力学院物理与信息工程系,湖南长沙 410077)' C! B% j7 X9 v8 q. X
6 q5 ^" d- R. m- o中图分类号:TG113. 22 文献标识码:B 文章编号:100627140 (2003) 0220083204
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) n6 S) s A2 F; Q0 b4 P9 W# w摘 要:硼是半导体材料中最主要的杂质,而精确控制杂质浓度剖面是半导体工艺的关键问题之一. 对硼在硅中的扩散从理论与实验的结合方面进行了系统的讨论.
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& }& L; L/ C+ A5 H! q" z3 }5 O3 G关键词:扩散;快速热退火;辐射损伤;Fair 理论
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8 p! D1 ?2 c' h# q) R' z + t) h, L0 _& q5 d
来源：《长沙电力学院学报( 自然科学版)》第18 卷第2 期 2 0 0 3 年5 月* l" ^& S T r% D, z/ B" a
& [3 j$ i5 |2 |. T# W0 w[ 本帖最后由 清风明月008 于 2007-10-30 21:42 编辑 ] |
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发表于 2007-10-30 20:27:13
