小花键内孔高频

wgy_wb

如附图所示，为小花键内孔高频，材料为45＃，请做此类产品的或对此类有相关经验，发表一下自己的看法，主要讨论以下内容：
1.此技术参数是否合理？（以齿根检测）
$ K! f* Z2 E9 l. m0 Y8 u0 Y. |( G. O2.花键的长度影响有多大？如此内径范围内，多少长度比较合适？
3.采用任何高频方法，可以推荐厂家设备型号
1 H4 q1 c" x5 ^: |4.该采用何种感应图比较合适。
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[ 本帖最后由 wgy_wb 于 2007-11-28 18:12 编辑 ]

wgy_wb

郁闷中..........
4 q3 _+ V9 ?# c+ e2 _$ N目前我已经换了四家高濒外协厂，公司内部也试了四种感应圈都没有成功
2 p: b, ]: ~2 g( m1 f3 `有好建议的请跟帖呀

xutie

内孔太小了，自喷感应器难做，如果用浸淬，动作时间难控制这是难度之一；
9 d! y" V& t* m* |: q5 C你要求的催硬层深过于严格，0.3-0.6毫米一般的感应机床没有那么好的控制范围，至少我了解如此，另外检测部位和方法最好规定好，有的要求在花键底部、有的要求齿顶，最好明确；
. ?* J. n# X; l5 E# U- J能考虑改变下产品要求吗？

sangshulee

最好是把1.5X45度的倒角圆弧化，在感应器上加上导磁体能解决这个问题，淬火方式为连续淬火冷却，设备用一般的高频设备就可以，16内孔比较小，主要是感应器的设计得适用。
4 E! d, Z) a  g4 c6 D
( ^& l/ \& Q8 L& D) _不知道搂住没成功的关键是什么，要是用连续淬火高频的加热速度快的话可以适当的将频率降低，如果还达不到骄要求可以到中频上进行试验也是一种选择
! H: T- A1 W# s3 Y7 V8 u
技术要求2中的应该是指调质硬度吧，我觉得用HRC表示不太好，最好是用HB表示，材料不知道是什么的，45、20CrMnTi 还是40CrMoH的呢？？？
- \& m9 I: S8 T7 A' N, O
( n5 d. q# a2 I[ 本帖最后由 sangshulee 于 2007-12-6 08:12 编辑 ]

wgy_wb

1.材料用的是45＃
0 j* \+ w6 v# O0 H4 s2.基本硬度为调质硬度
" Z* b' K4 N6 `3.硬化层只要达到：在齿根部位，硬化层最小0.3即可
. L  V" w( ]' m) \2 i
9 D5 @5 T+ f* n, ?; @现在我所撑握的情况如下：
1.花健长度太长（17.5左右），淬火后长度方向硬化层不均匀，
8 Z( x4 X6 S" V2.感应圈现在用的3mm铜管绕制螺旋状，并用腊管绝缘，但使用时，还是冷却不够而烧坏。

1 m+ s6 W6 u3 P' E' Q请各位帮忙的事，感应圈有没有好的供应商，因为我无法采购到陶磁粉，也不知道如何制作，推荐一下。