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11天前
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[讨论结束] 如何测量IGBT、GTR模块?

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发表于 2008-3-18 12:51:12 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自: 中国新疆克拉玛依

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参数是啥,范围,一般规格和型号。谢了
发表于 2008-3-18 18:29:45 | 显示全部楼层 来自: 中国广东广州
测量好坏吗?IGBT的好测,就用电阻档和二极管二个档位就可以了!
发表于 2008-3-19 20:03:08 | 显示全部楼层 来自: 中国山东菏泽
测量好坏吗?IGBT的好测,就用电阻档和二极管二个档位就可以了
发表于 2008-3-20 07:58:02 | 显示全部楼层 来自: 中国河南南阳
补充下若全导通就是被击穿了。
发表于 2008-3-20 16:16:48 | 显示全部楼层 来自: 中国广东汕头
  IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给 PNP 晶体管提供基极电流,使 IGBT 导通.
% r# ^7 L1 [; ?& L1 z( y反之,加反向门极电压消除沟道,流过反向基极电流,使 IGBT 关断. IGBT 的驱动方法和 MOSFET 2 ]7 i$ t1 r( @. g3 ~3 z+ F. u: d
基本相同,只需控制输入极 N 一沟道 MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性. 9 p$ V% o% n+ g& l0 ~/ [* m
    当  MOSFET 的沟道形成后,从  P+ 基极注入到  N 一层的空穴(少子),对 N 一层进行电导调制,减小 N 一层
* d& n- {- b0 I9 M' h的电阻,使 IGBT 在高电压    时,也具有低的通态电压.
  c# u! U  _4 z, h      IGBT 的工作特性包括静态和动态两类:
* J+ b5 J- W9 T0 V" _' m      1 .静态特性 IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和    开关特性.
" }$ g% a( h0 B, }. a6 i. B% _  H      IGBT 的伏安特性是指以栅源电压 Ugs 为参变量时,漏极电流与    栅极电压之间的关系曲线.
" [$ }+ u; u  J$ b) y输出漏极电流比受栅源电压 Ugs 的控 制, Ugs 越高, Id 越大.它与 GTR 的输出特性相似.也可分为饱和    区 1
3 S, Z7 H) _' f、放大区 2 和击穿特性 3 部分.在截止状态下的 IGBT ,正向电    压由 J2 结承担,反向电压由 J1 结承担.如果
( N/ i3 k4 Y0 E1 G" p' K! S无  N+ 缓冲区,则正反    向阻断电压可以做到同样水平,加入 N+ 缓冲区后,反向关断电压只    能达到几十伏水平 1 \5 x* T# V/ @: V. e! ~
,因此限制了 IGBT 的某些应用范围.
1 y  X9 a4 O* b: u) t/ I& k      IGBT 的转移特性是指输出漏极电流 Id 与栅源电压 Ugs 之间的    关系曲线.它与 MOSFET 的转移特性相同, + ?! w9 Z) p4 S8 h0 M
当栅源电压小于开启电    压 Ugs(th) 时, IGBT 处于关断状态.在 IGBT 导通后的大部分漏极电    流范围内, Id $ @6 e7 d$ w$ u5 e- o0 g* f/ H
与 Ugs 呈线性关系.最高栅源电压受最大漏极电流限    制,其最佳值一般取为   15V 左右. , @7 r8 G( Z7 X
      IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系. IGBT   处于导通态时,由于它的 PNP 晶体管为宽基区
8 q; l3 H9 l5 Q- w6 `晶体管,所以其 B 值    极低.尽管等效电路为达林顿结构,但流过 MOSFET 的电流成为   IGBT 总电流的主要部分.
9 v1 \/ l* b  \+ I) R1 t9 _此时,通态电压 Uds(on) 可用下式表示 * B( g; X7 b! \, J1 t
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh  ( 2 - 14 )
2 P& X: r$ z4 Q- U& m  式中 Uj1 —— JI 结的正向电压,其值为 0.7 ~ IV ;
2 R5 e9 N) `# n$ j+ n& Q  Udr ——扩展电阻 Rdr 上的压降;
# j  z8 r( n0 W  Roh ——沟道电阻. 6 [5 G( H" Q' W* o, Z
  通态电流 Ids 可用下式表示:
$ W$ K9 I- D) g7 J  Ids=(1+Bpnp)Imos         (2 - 15 )
5 X, K9 q& V' {- R0 ^0 w; ?  式中 Imos ——流过 MOSFET 的电流. " }/ ], k9 f4 k  l# {/ U9 b
  由于 N+ 区存在电导调制效应,所以 IGBT 的通态压降小,耐压   1000V 的    IGBT 通态压降为    2 ~  3V     : Y, C6 a. d1 R8 G
IGBT 处于断态时,只有很小的泄漏电流存在. " ]; v* D9 ]7 I1 H, x- n% P
  2 .动态特性 IGBT 在开通过程中,大部分时间是作为   MOSFET 来运行的,只是在漏源电压 Uds 下降过程后期, 9 @* O7 i8 \- Y
PNP 晶体    管由放大区至饱和,又增加了一段延迟时间. td(on) 为开通延迟时间,   tri 为电流上升时间.实际应 ; T3 ]: j: J2 w
用中常给出的漏极电流开通时间 ton 即为  td (on)  tri  之和.漏源电压的下降时间由 tfe1  和 tfe2 组成,如图 8 E( q' B. z* Y. Z" ~" z
2 - 58 所示     8 A# d) L  o9 k/ s$ r
IGBT 在关断过程中,漏极电流的波形变为两段.因为 MOSFET 关断后, PNP 晶体管的存储电荷难以迅速消除,造成漏
1 ~' V+ l# v1 W极电流较长的尾部时间, td(off) 为关断延迟时间, trv 为电压 Uds(f) 的上升时间.实际应用中常常给出的漏极电 % s* R" P+ t- s0 z" h, z9 k8 y
流的下降时间  Tf  由图 2 - 59 中的  t(f1)  和 t(f2) 两段组成,而漏极电流的关断时间
/ \4 e) d8 ^% c$ W! Wt(off)=td(off)+trv 十 t(f) ( 2 - 16 )
% G, D$ R- y* n式中, td(off) 与 trv 之和又称为存储时间.
4 t$ m1 ~& Q. b+ a" O! t- L- u2 l0 k
粗测IGBT放大性能可以用下面方法1 d+ t7 D7 _" ~4 H5 o
1. 场效应管检测(SFP9630、IRFS630):
7 I: ~3 l2 B- V, tP沟道场效应管以SFP9630为例,万用表置于二极管档位,按下表检测:
0 W  u0 Q! q7 b- r
表3.9-2 P沟道场效应管
8 @8 }, D+ m8 E6 c
先三脚短路后进行下列测试& Z, N9 C2 c3 r  n
表笔连接

4 b- u+ R3 o% s! a( |2 I: l
读数

( e- y$ e+ R1 ]5 ]5 f; Q  `
评判

# k. D& F: ]0 W6 W! ~# `8 e
引脚示意图

6 H# q' @) b3 }& u  {' X% u
红-S、D
: Q5 h3 @- r% Z! @0 h
黑-G
. F+ w6 i0 W: ~$ y$ t; u
无穷大

  \6 l/ V: L# t; v) _- h1 I6 Z3 ?3 f! G) Y
' F% s! k7 W& L4 C1 }+ g$ i4 i4 S
* ^1 L2 ?4 g* q! N$ M# K
红-G

4 ?: D  o6 f8 E4 K) B' W
黑-S、D

# g, `- B3 w+ x* L
无穷大

9 f: ~% f0 h3 J" ~! X: M8 X: c- t

& v: ^  ]4 m# c) W
红-S

) S5 S9 V! h' \2 `* t# o/ J
黑-D

& b+ w( d0 i4 U% L3 [- B
无穷大
. D- _1 T3 {: K7 Z' n

* G: o3 c4 S- W: d' l
红-D
! @( ^) ~' a: y( g5 L  @
黑-S
. U1 v1 Q% [# o8 V# s
0.5读数

% D% I0 r5 l  S! b1 Q% b

+ [$ u- _# m2 m" r
红-S

7 v( N% c$ I# E1 a  T, q; p
黑-G

+ f! S0 H# S; H2 ]9 r2 h6 ~
无穷大
& P- P9 A* t: \
红-S不变,黑-D,有0.8读数,好
7 }% B' L+ V) K7 o' J  s
三只脚短路后重新测试才有效,以上测试结果属正常,否则不正常。0 i' [7 k$ R! [# _
N沟道场效应管以IRFS630为例,万用表置于二极管档位按下表检测:* `% f- `- P+ N& N/ e9 s
表3.9-2 N沟道场效应管
* y8 p; r" h+ l0 Z( F
先三脚短路后进行下列测试+ D2 |4 W7 z( g8 i
表笔连接
1 v* p" S4 ^0 R+ @+ w2 P
读数

) H) y5 q3 ~( y% l
评判

2 g8 _* T7 }9 G) j8 l
引脚示意图
* T8 v+ o6 `) ?5 @! i- S9 _
红-G

7 k" U6 x- o5 p, [8 [6 }' v
黑-D、S

5 ^/ P; n3 T- f) x
无穷大

% o) Y: M9 ?8 L, v
8 Z8 c% [9 S$ j! J: Q1 u
, K# O1 _" L) a9 u5 o
红-D、S

, z7 n2 _( r* j0 }$ q% y
黑-G
' \2 ^: X! s- g
无穷大

: s$ j( {4 a  ?- \1 W

: t9 b+ ^2 J7 t( H- e1 \4 B
红-S

! g0 J- K3 t# x
黑-D

! e: H7 E% U6 d- u, s
0.5
# c5 y5 A; f" H9 h

3 |5 J5 R0 x3 V9 R0 N
红-D
' [9 q5 a& N6 H' E, H) z0 C
黑-S

  b# G: Q8 u% G" H, ~" v
无穷大

& e6 w+ a6 X; a
- l9 h$ N; j$ r: ?- B) \$ Q
红-G
1 T. m9 I! O' }' |, ~: Z( M. E
黑-S
7 }7 X( r* \* O! N2 X4 c$ N
无穷大
6 H: x6 j5 t2 H$ N
黑不变马上转红-D,有0.8读数,好9 |; G/ r3 y* ~; v; ]
三只脚短路后重新测试才有效,以上测试结果属正常,否则不正常。& _1 V: y+ H& F* N0 v3 a8 f5 |

; d# Q( c6 R1 p% T6 c
' l' N! z# ^4 q  X, l3 i5 q- J3 N& e( Y* J# j
[ 本帖最后由 cylzwx 于 2008-3-22 08:51 编辑 ]
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发表于 2008-3-21 17:14:30 | 显示全部楼层 来自: 中国重庆
楼上方法原理是是什么呢?
发表于 2008-3-21 18:05:24 | 显示全部楼层 来自: 中国河南南阳
5楼的方法真有意思,是实践出来的吗?
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