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发表于 2008-7-1 13:38:14
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来自： 中国陕西西安
LED手电筒: Y! e6 l& l5 v0 o# u1 r# A" d
: Z+ }0 L! G4 f4 A+ c' cLED手电筒是以发光二极管作为光源的一种新型照明工具,它具有省电、耐用、亮度强等优点。8 ]. N0 e. o( z; I& b1 J3 H+ v
（一）LED发光原理 , E) s5 K1 l2 w- l: P" \- K
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。 - i- m+ A& M) j# d
假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。
* w) E1 V( j A2 ]1 a! ?( ^理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即
- u5 d! Z$ [, a; G! b( Hλ≈1240/Eg（mm） ' H1 i ^. L7 ~7 K1 R
式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。 , i3 H, n, n% }- T& |
（二）LED的特性 ) k. A0 d* f2 C
1．极限参数的意义
3 D7 _! _. N5 Y: j（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。
" m3 Y* v/ N G8 q3 o" m+ U7 D（2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。 4 Q% P, t, }) p6 T2 }- J
（3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。 0 {8 A( P' p7 |9 e
（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。 |
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发表于 2008-6-28 15:07:47
