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发表于 2008-7-1 13:38:14
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来自： 中国陕西西安
LED手电筒1 r4 p# Z- Y3 f6 R
5 f. X0 Y. M1 z0 R7 XLED手电筒是以发光二极管作为光源的一种新型照明工具,它具有省电、耐用、亮度强等优点。
- W8 @( @3 K' h2 t. W( {4 X# A（一）LED发光原理
& o u. g* d7 V* M+ ?9 C, E5 [发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。 - T* m+ U' E7 R+ ]: N* ]
假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。 % c/ R* u5 H2 A) a4 T1 c
理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即
7 M2 i) H' p0 {" K7 S/ C3 tλ≈1240/Eg（mm） 3 a4 Y+ I C! a% P! l% b
式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。 ; @# l: c/ B3 o) f+ H0 _3 y
（二）LED的特性 5 |5 m8 g& r2 K3 i* Y# Y
1．极限参数的意义 7 U9 D6 F3 ~, ^8 k
（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。 ; h/ j0 q/ a( h4 a( v8 `, w1 T1 I
（2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。 4 ?6 `3 ^! S( E t
（3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。
% ?* A$ U3 V* h0 x; ^% {9 N（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。 |
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发表于 2008-6-28 15:07:47
