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[求助] 9、在fcc晶体中,hcp沉淀容易在层错上形核是因为:

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发表于 2008-8-12 22:18:27 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自: 中国江苏苏州

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1、在fcc晶体中,hcp沉淀容易在层错上形核是因为:4 X- i% O( A2 z- Q, i, K

- U; ?, W8 n7 c& `A)
层错形核的|DGd|大;' o& {, W* s! L1 |  E' \1 J4 N
B)
层错形核的|DGv|大;/ A/ m. p" F' Z8 `2 f% q1 E& s* Y% V

. y8 i4 [. j2 N+ g! u# e4 JC)
层错形核的|DGs|小;
1 y7 W2 x- K2 v& ~+ T2 k$ n6 m2 u) ^D)
层错形核的 (界面能)小。
3 S* I$ y; ]( ^7 j
; O* V: N' @0 w. h+ X2 J2、在A,B两组元组成的置换固溶体中,若ra>rb两组元的热力学因子
; {( S8 U. |" {# p/ DFA $ i  ?) ^; V' ]6 t# K1 R6 g
FB
之间的关系是:3 D( |' P/ k! g) X+ q

5 @" w% G, J& R5 Z% d4 ZA) FA>FB
. S5 z1 r+ F5 c- r/ a! F8 s, M* p3 l  E* dB) FA<FB
2 |8 b4 l; P) {: T5 r. ]( g6 _6 S$ G, m; G
C) FA=FB& M2 g, }. T+ P4 V

% `& C$ v' r/ @$ _, u$ m# L! LD)
无确定的数量关系
  T! m- E% J- M1 d7 ^$ q3 l& x1 ^7 E
! O; N1 J7 E0 a3、晶界作为高扩散率通道的作用和1 U3 j# Z+ k8 U: X: I0 i0 J& V

8 p% s3 j6 j* oA)
温度有关,温度越高晶界作用越明显;& @3 X/ f$ P5 @( t+ ~4 u7 q+ W
B)
温度有关,温度越高晶界作用越不明显;
' k+ ]9 |( e; @* C# ~0 d3 n" l6 T! U
+ U) c: t9 H, ^: BC)
溶质浓度有关,浓度越高作用越明显;' i+ a9 }" A; f
D)
溶质浓度有关,浓度越高作用越不明显。
, k* Y' T# O9 e$ o% ?/ o! d( Q7 E 8 J/ s: [! Y1 J( p8 z$ r
4、小角度扭转晶界和倾转晶界的区别是. U0 ?  C% ^, I

- ^2 c% S8 h# }* ~; OA)
倾转晶界的转动轴和晶面垂直,扭转晶界转动轴和晶面平行;5 k6 o4 I, s# R: y: S& M

' Z# r8 _  Q4 ^! R6 I$ s3 VB)
倾转晶界由两组螺位错交叉组成,扭转晶界由一组刃位错组成;
( p4 v6 I6 [. |
4 C! b0 _' s7 V, E% q8 x# IC)
倾转晶界由混合位错组成,扭转晶界由一组刃位错组成;1 z: X& E+ M6 O" m9 V, H

0 P. B) {; D- O) F7 _" D" zD)
倾转晶界由一组平行刃位错组成,扭转晶界由一组交错的螺位错组成。
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