国际多晶硅生产工艺介绍

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多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。
' b( O1 h" A& `( [3 }   目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。新一代低成本多晶硅工艺技术研究空前活跃。除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的低价格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅；高纯度SiO2直接制取；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deposition）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，Al－Si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。
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) N( v) s$ }! ~7 o9 p# v6 R4 g多晶硅生产工艺：
1 杜邦法（四氯化硅＋锌）
2 贝尔法（四氯化硅＋氢气）
3 西门子法（三氯氢硅＋氢气）
4 U.C.C法 硅烷法（硅烷分解）
4 l$ N# H9 C+ i! L4 `5 其他

) _" B8 L5 q) k. s% r5 g" J  西门子法：       氯化SI+HCL---SIHCL3+SICL4
- B# g4 e4 o* c; Y1 W                          还原SIHCL3+H2---SI+HCL
                          氢化SICL4+H2---SIHCL3+HCL