请教关于PN结的问题！

cdbzg · 发表于 2009-5-22 12:19:33

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PN结的正向电流大致和两个因素有关系：电压和掺杂

电压一定时，掺杂越低，电流越大，而且主要取决于低掺杂一侧

那么，当掺杂越来越低，最终到不掺杂时，岂不是电流是最大的？这显然与事实矛盾

那么掺杂到底是多少时，可以得到最大的电流呢？

levelzhao · 发表于 2009-5-22 16:09:55

貌似半导体掺杂越多,电流越大吧.而不是掺杂越低，电流越大

luotsh · 发表于 2009-5-22 19:43:48

学习中,期待正解!　天天关注

pangpang · 发表于 2009-5-23 18:56:55

半导体材料掺杂可以大大降低材料的电阻率。在一定范围内，掺杂浓度越高，电阻率也就越低。

在使用不同的掺杂工艺，使其硅或锗单晶基片上一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，在两种半导体交界面附近形成PN结后，这时的主要矛盾就由电阻率的变化转化为PN结处形成的空间电荷区的反向电场强度。在一定范围内，掺杂浓度低，空间电荷区的反向电场强度也就较小，所以在施加正向电压时，相对电流就会较大。但这也有一定的限度，当掺杂浓度为零（实际上应为接近零时的某一值）时，这时的半导体材料不能形成PN结，就是一个通常意义上的半导体了。这也就是人们常说的从量变到质变的过程吧。

当然，掺杂浓度的变化还会影响到PN结的其它各项参数指标和性能。

[ 本帖最后由 pangpang 于 2009-5-23 19:04 编辑 ]

10ty · 发表于 2009-5-23 19:09:59

楼上分析得很对。

cdbzg · 发表于 2009-5-24 10:39:57

非常感谢4楼的解答！

hyj98321107 · 发表于 2009-5-24 11:23:16

学习了，有收获

郝工在线 · 发表于 2009-5-25 22:54:25

原帖由 pangpang 于 2009-5-23 18:56 发表 http://www.3dportal.cn/discuz/images/common/back.gif$ E+ | k( H; c$ Q6 ?$ r" o* [
半导体材料掺杂可以大大降低材料的电阻率。在一定范围内，掺杂浓度越高，电阻率也就越低。
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在使用不同的掺杂工艺，使其硅或锗单晶基片上一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，在两种半导体交界面附近形成PN结 ...

解答比较清晰，进一步的理解还需查阅有关半导体的专业书籍．

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