9 v1 ?4 G0 N# C# Y7 Y在使用不同的掺杂工艺，使其硅或锗单晶基片上一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，在两种半导体交界面附近形成PN结后，这时的主要矛盾就由电阻率的变化转化为PN结处形成的空间电荷区的反向电场强度。在一定范围内，掺杂浓度低，空间电荷区的反向电场强度也就较小，所以在施加正向电压时，相对电流就会较大。但这也有一定的限度，当掺杂浓度为零（实际上应为接近零时的某一值）时，这时的半导体材料不能形成PN结，就是一个通常意义上的半导体了。这也就是人们常说的从量变到质变的过程吧。8 Q- J. N5 U. D$ o" B8 o5 C4 d/ l. z
; R) |5 i+ h$ Y$ K6 a当然，掺杂浓度的变化还会影响到PN结的其它各项参数指标和性能。 % C; Z m7 y Z, z' y ( [8 T. u) O0 E[ 本帖最后由 pangpang 于 2009-5-23 19:04 编辑 ]
发表于 2009-5-22 12:19:33
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