现有分析方法标准
) y; N5 _! c6 J+ I |
物质 5 T5 b. o% y8 s1 v- K7 G$ y
| 标准 + E4 t5 `! q' S0 V+ Q/ I$ p4 M5 j! M
| 适用范围 ( Y$ b$ a% ~) P* m' a
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铅 6 Q2 a F0 L( _! U6 @5 n1 R) R
| EN 12402:1999 铅和铅合金-分析用抽样方法。
8 @* E8 A/ C5 D8 ^' w* F9 l | 对整块铅和铅合金锭的具体抽样方法。不适合其他形式和焊料分析,但可用于含铅含量高的焊料
, t" ^7 A! O1 | |
BS 6534:1994锡镀层中铅的定量测定方法
" V& z7 j" g ~' Y$ W# H4 K | 适用于分析元器件接线端和未组装印刷电路板上的锡镀层。如该方法用于分析锡合金,则因合金中存在其他金属元素,而需予以修改
X* i2 M3 W5 M* {; T j% I- ^ |
EN 12441-3:2001 锌和锌合金-化学分析-第3部分 铅、镉和铜的测定-火焰原子吸收光谱法
$ a% c" q! M, E; _/ H | 适用于分析整块锌和锌合金
( E N5 E+ C* {' Q |
BS 6721-9:1989,ISO4749-1984 铜和铜合金抽样分析方法,用火焰原子吸收光谱法测定铜合金含量中的铅含量; W; f i9 _' r, N* A3 d- h; h2 J
| 适用于检测制造电子设备零件用的铜和铜合金中的铅含量。铜和铜合金被分解后用原子吸收光谱(AAS)法进行分析,铅含量测定的范围:0.002%-5%(允许铜合金中的铅含量≤4%)
/ ]. o$ m1 N1 ]8 x |
BS 3338-5:1961 锡和锡合金中抽样分析方法 锡锭和锡锑焊料中铅的测定方法 (光谱法)
A3 C3 I8 q K8 k- V | 适用于材料,如锡锭。# \7 p$ N- l W
BS 3338-21:1983适用于检测软焊料中的镉/ w( w, M& `& f9 }0 B
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镉 5 G0 ^# v9 K( j" }4 M1 p
| EN 1121:2001 塑料 镉的测定 湿式分解法 (DD ENV 1122:1995湿式分解法测定塑料中的镉含量)(已撤消,待修订)
" q' n- {. O! [; e8 O9 X! w0 d6 y% j | EN 1122:2001适用于分析非氟化塑料中的镉含量 (10mg/kg-3g/kg)。用AAS法分析塑料被分解的镉溶液。该法适用于制造电器设备用的塑料。
l5 w! J' x/ S. }6 N: s/ `1 { |
BS 3900-B9-1986,ISO 3856-4:1984 油漆检验法 液态漆和干漆膜的化学检验“可溶”镉含量的测定, v( v1 M4 k! R& q
| 检验油漆中可溶漆的特殊检验方法。镉可被用作颜料。6 j3 A6 h1 T/ W* Z8 H
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六价铬
+ k) `& ~3 J, H" s | BS B10:1986,ISO 3856-5:1984油漆检验法 液态漆和干漆膜的化学检验 固态物质中六价铬含量的测定
, |3 a0 j5 B" q; z6 t& i5 G/ J" q | 干漆膜(含铬量0.05%-5%)中六价铬含量的检验方法。分析漆膜溶解液。. G$ y+ N1 {# Y) n% H# f) P/ n
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BS 6068-2.47:1995,ISO 11083:1994 水质 物理、化学和生物化学法 六价铬的测定 1,5-二苯基咔唑光谱测定法/ A8 m+ G" l. x. o. O/ |4 i
| 水质分析系列标准之一。不适用于电器元器件,但可用于分析涂层溶液。 W2 l' S8 I3 {
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BS EN ISO 3613:2001 锌、镉、铝锌合金和锌镉铝锌合金上镉酸盐转化膜 检测方法
( T' F/ e: H$ M1 G; \" W$ X: O% ` | 二苯基咔唑比色法,适用于检测六价铬和施涂了24小时以上、30天以内的大小面积涂层。该法对涂层施涂时间有限制,是较陈旧的方法。该法只阐述了可水溶的六价铬含量测定。
0 f6 p. C' K7 z0 l, w0 d( \ |
分析方法 $ G# \4 E0 F* X, a+ Q9 M1 k' A" `; v
|
方法
5 M* _" g1 j5 c, G. }4 _ | 待分析物质 2 z( f1 z6 |8 b; V; d# M
| 单一材料
5 I1 f& r( ^& u, ~# Q* W. M: W8 o& ^ |
. E5 Z/ y5 f B* l, Y! t整个元器件(电容器、电阻器、晶体管等)
: G* h# F7 r, R8 N( ?3 T |
AAS法 ( _9 Z; ?, r5 d! ^$ z8 n" U, v; k
| Pb、Cd、(Hg,如使用冷蒸汽方法)
+ Z# M1 n; w$ \) h" o4 Y | 首先溶解待分析的材料
t8 H! a5 B( A1 _1 p h4 x" } | 分析溶液 ; f1 w8 c" x/ d
|
ICP法
% G. o( p4 a) D' ^, ~+ x* X2 P | Pb、Cd 7 L: P9 e) F0 a& I# Y
| 先溶解待分析的材料
' q; [' L0 _% `( U; L# @ | 分析溶液
4 _3 T, g2 A2 W. g; R* U |
UV/VIS法 - x3 A, t' N' E2 \) S' C
| CrⅥ
3 p& K9 v: \. I& @) A! M; @ | 先溶解待分析的材料
$ H: j% y) ?. R) h% r* v6 B/ R% w | 溶液中必须存在Cr6+ 8 X7 z$ h( E9 ^. F, J* l
|
SEM/ED-XRF法
3 T7 z1 j# e! b" |9 Z8 [, A; g# X | Pb、Cd、Hg化合物 + x& p% |9 D2 L5 |/ P4 H
Br、Cr ; J& ~/ p3 p( ^+ y9 i8 H
| 表面分析技术。
/ w$ {# u; h6 ^# K4 M典型的分析范围为直径1µm,深度1µm
5 G$ Q( N+ y' ]4 x. f% e3 X8 y | 检出限约0.1%.不能检验氧化态的Cr。能识别出Br,但不能识别出化合物。
0 v/ g# c7 s" P; ?. x) ~/ @" x* [ |
电火花散发和直流电弧散发光谱法
& z6 `5 n6 M) p. s y | Pb、Cd、Hg
$ A. `; W- [ J+ j5 _ N | 分析金属 / a5 [5 Y) b( t# E8 R2 z* D4 R6 g; z8 J
| 如待分析的是表面物质,则不需要制备样本$ u0 f% R5 w. `# J8 z( C
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辉光放电发光光谱法 # k/ a* Z/ I# Z/ n; @$ u
| Pb、Cd、Hg、Br、Cr
& N, i1 m o. `. t& `- {# l | 分析薄涂层 ) }, O6 m6 _# ?
| 可分析多层涂层
! s1 Z. i" y. I. w$ C- V |
极谱法
. f7 T0 d- p% ?$ x, ^1 t0 t* B | Pb、Cd、Hg、Br、Cr
' k! u$ w* Z) ? | 分析水溶液
; q/ e9 e2 [! f" u8 u" j! H: b | 铜干扰六价铬分析
6 c$ D+ t" M o4 e2 A( I) P |
离子色谱(IC)法
1 ?( ^$ }) P. X* p' ]$ o* U4 S | 溴化阻燃剂 6 I* A- h9 G* L# Q
| 先溶解待分析的材料, v: r0 J$ u5 L d
|
_3 x$ D: ]: ^ p% u |
GCMS法 # S) {3 t9 o, f, n" e+ L
| 溴化阻燃剂
3 m4 D7 R2 B+ h% A | 复杂多步骤程序 , ?, Q" U4 _* u- B
| 3 w1 h7 `$ [/ ~* q6 p
|
手持式和台式
|: Q" g' V& t7 K I, zED-XRFA
4 X u$ v4 I4 ^7 A2 b | Pb、Cd、Hg、Br、Cr
4 b% Y; `4 k! j3 u9 \# U | 非破坏性表面分析。对平坦表面精度高。% F$ D2 m2 P A+ u+ p$ k' p
| 手持式精度有限。台式有局限性。为电子设备用的低成本可靠技术,但要正确使用,否则精度较差。分析整个PCBs,两者均不可靠。( S( W* I/ ]: p+ i
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WD-XRFA $ A1 A* a5 O) q' c% j7 C2 `) K9 Y& p
| Pb、Cd、Hg、Br、Cr ; S2 A& q F$ H( {! h2 y6 e6 O, B c( J
| 分析同质物料 / L! M) S( m7 F0 S
| 表面分析,但不适用于元器件
3 }$ K9 [) q2 ^ |
傅立叶变换红外色谱(FTIR)法
& \( ?- A C1 @* m | 溴化阻燃剂 8 _* O) n* \$ S+ g. n2 d
| 可用于塑料和萃取物
$ D" u" z4 U9 a. u4 u! \0 f | 可检验溴含量高(>3%Br)的阻燃剂,但有局限性。8 u" x6 ^ M9 p4 h: \# \, e
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“石蕊”检验
3 C1 G. ]( C6 f# i | 表面含铅
8 S$ u* |5 g' ^) c7 k! {/ t I | 简单的筛分检验 ) M$ r+ M6 g% a' A% b% E
| 用于检验铅含量大于1%的金属
, }5 s+ u; @ ]+ j' W7 e) I1 {# ~. d: ` |