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发表于 2010-2-9 21:10:12
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来自： 中国辽宁大连
判断栅极(G),集电极(C),首先将万用表拨在R×1kΩ档，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极(G)。其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，则调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小时的一次中，则判断红表笔接的为集电极(C)；黑表笔接的为发射极(E)。) `# k) Q; `& y; u
9 B7 ` \+ I4 {# I3 I将万用表拨在R x 10kΩ档，用黑表笔接IGRT的集电极(C)，红表笔接IGBT的发射极(E)，此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C)，这时IGBT，被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E)，这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。
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任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT，好坏时，一定要将万用表拨在R x 10kΩ档，因R x 1kΩ,以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT触发导通，从而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。此法检侧IGBT简单方便、准确可靠。
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功率模块的好坏判断主要是对功率模块内的续流两极 管的判断.对于IGBT模块我们还需判断在
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有触发电压的情况下能否导通和关断。 7 B m8 v: g$ O$ }* N
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逆变器IGBT模块检测: $ H1 j- j+ H/ E- Q
6 E8 E/ S: P( B) V8 P将数字万用表拨到二极管测试档,测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与 e1、 e2之间正反向二极管特性,来判断IGBT模块是否完好。 & u* R( s0 O0 ^6 Q4 ^0 Q: c) l. H
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以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除,使用二极管测试档，红表笔接P(集电极c1)，黑表笔依次测U、V、W，万用表显示数值为最大；将表笔反过来，黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N（发射极e2），黑表笔测U、V、W，万用表显示数值为- w7 ^6 g9 s1 A
8 g4 p0 `( M* E) M( s5 Q& C9 ]! L400左右；黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为最大。各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。IGBT模块损坏时,只有击穿短路情况出现。 l" |$ y$ J) v" f' x
8 ~ F2 y& l, z* A6 G1 }红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性, 万用表两次所测的数值都为最大，这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数值显示,则门极性能变差，此模块应更换。当正反向测试结果为零时,说明所检测的一相门极已被击穿短路。门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏 |
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