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中頻濺射的原理跟一般的直流濺射是相同的,不同的是直流濺射把筒體當陽極,而中頻濺射是成對的,筒體是否參加必須視整體設計而定,與整個系統濺射過程中,陽極陰極的安排有關,參與的比率週期有很多方法,不同的方法可得到不相同的濺射產額,得到不相同的離子密度 中頻濺射主要技術在於電源的設計與應用,目前較成熟的是正弦波與脈衝方波二種方式輸出,各有其優缺點,首先應考慮膜層種類,分析哪種電源輸出方式適合哪種膜層,可以用電源特性來得到想要的膜層效果.
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中頻濺射也使磁控濺射的一種,一般磁控濺射靶的設計,平衡磁場與非平衡磁場,磁場的設計是各家技術的重點,國際幾個有名的濺射靶製造商,對靶磁場的設計相當專業,改變磁場設計能得到不相同的等離子體蒸發量.電子的路徑,等離子體的分佈,所以濺射靶磁場是各家的技術機密.
靶直接冷卻當然效果好跟間接冷卻最大的是蒸發功率,直接冷卻可提高蒸發功率,相對來說可提高離化率
4 c! `* v* I2 `: Y' @( E濺射速率,但帶來漏水的問題,靶材選購的問題,尤其濺射時靶材問題,精度要求.鑲纤$ o6 |7 y, `2 v* U; @" C5 {/ }
拼接等都無法克服,所以一般都採用間接冷卻的多,
7 \1 P& A( K! |, R 濺射也應該歸在PVD沉積的其中一類,也是離子鍍膜的一種(我是這樣的歸類),濺射是在輝光放電區,而電弧離子鍍膜是在弧光放電區,新的中頻濺射技術,就市讓工作點接近弧光放電區,既有輝光放電產生的優點,又有弧光放電的高離化率,7 u/ ]$ r: R9 b1 s$ e" @9 \8 \% a: q
1 S) C/ _ k: i; u! l; m, ]+ i電弧離子鍍確實有你說的高離化率& g5 _* S$ f1 u6 A7 r z6 W9 |1 C) U
結合力好的優點,利用高離化出來的離子去實現對工件清洗/ \; _$ j$ y u1 N) d2 K
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蝕刻,利用偏壓的效果得到好的膜曾與基材的結合,這些優點確實比濺射好很多,尤其工具鍍膜時更明顯,# M1 |& Y1 U' {: e2 f# o
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发表于 2010-4-22 09:38:08