介绍2种工艺:& e. f; H& M4 x
1、随炉升温到800℃后以50℃/h的升温速度升至880~930℃,保温4-5h,以50-100℃/h的冷却速度冷至700℃后,以200-250℃/h的冷却速度冷至500℃,然后快冷,150℃以下出炉,保护方式氢气或真空。处理后磁性能符合GB6983-6985要求。 * T0 \+ y* @- o [2、当要求Hc不大于24A/m时,采用如下工艺,随炉升温到800℃后以50℃/h的升温速度升至860~930℃,保温3-5h,以50℃/h的冷却速度冷至700℃后,以200℃/h的冷却速度冷至500℃,然后快冷,150℃以下出炉,保护方式氢气或真空。