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发表于 2007-6-29 08:25:04
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来自: 中国广东汕头
回复 #3 zhoujd 的帖子
PN结有单向导电性,正向电阻小,反向电阻很大。
8 p0 _/ c, W5 I当反向电压增大到一定数值时,反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。
, Q( g/ z4 C/ o7 l( A: F& K! [0 }雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时,载流子倍增就像雪崩一样,增加得多而快。
8 \5 F$ K; a) s" P利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管 9 X* E" {+ U5 W0 s5 y
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雪崩击穿是在电场作用下,载流子能量增大,不断与晶体原子相碰,使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对,这就是倍增效应。1生2,2生4,像雪崩一样增加载流子。 ) x! q! A4 p+ M6 Z- ?" k& ~
' x; i( H$ Z2 ^/ ~4 y齐纳击穿完全不同,在高的反向电压下,PN结中存在强电场,它能够直接破坏!共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对,形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大!只有在杂质浓度特别大!!的PN结才做得到。(杂质大电荷密度就大) ( H0 `; x, I- o7 h) m/ w
一般的二极管掺杂浓度没这么高,它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中,就是稳压二极管 |
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