非挥发性存储器的相变材料

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介绍一则专利
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申请专利号	CN200410096589.6
专利申请日	2001.12.31
名称	非挥发性存储器结构及其制造方法
公开（公告）号	CN1632952
公开（公告）日	2005.06.29
类别	电学
颁证日
优先权
申请（专利权）	台湾茂矽电子股份有限公司
地址	台湾省新竹科学工业园区
发明（设计）人	段行迪;李立钧;汤姆斯·东隆·张;梁仲伟
国际申请
国际公布
进入国家日期
专利代理机构	北京三友知识产权代理有限公司
代理人	马娅佳
摘要
在本发明的非挥发性存储器中，选择闸是形成于浮动/控制闸堆叠的侧壁上方的自对准间壁，利用同一个掩膜(1710)可以进行从源极线(144)上方移除选择闸层、蚀刻在源极线区域内的沟槽绝缘层、掺杂源极线等步骤，这种存储器可以形成于独立的基板区域内部或上方，在蚀刻沟槽绝缘层之前可以至少部分掺杂源极线，借此隔离基板区域与下方结构，以避免短路；这种存储器可以区块(sector)抹除；或是执行晶片抹除操作以并联抹除所有的胞元；周边电晶体栅极和选择闸可以由同一层形成，选择闸间壁有延伸物，可以自上方金属线作成低电阻接触；至于在机械或化学机械研磨上方绝缘层时，利用相邻的虚置结构可以保护半导体基板上方的电路元件。
主权项
1、一种集成电路，包含：一半导体基板；至少一非挥发性记忆胞元，其具有与该半导体基板隔离的一浮动闸，以及有位于该浮动闸(124)上方的一控制闸(128)，并具有另一导电闸 G1(520)，其中导电闸G1(520)是以间隙壁形式形成于由上述浮置闸与控制闸所形成之结构的侧壁；以及一第一周边晶体管(4406)；一第二周边晶体管(4402)；其中该控制闸(128)及该第二周边晶体管(4402)的栅极(128)由一层 L1(128)所形成并且该导电闸G1(520)及该第一周边晶体管(4406)的栅极由另一层L2(520)所形成。

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这个专利的内容很高大上呀！