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发表于 2007-9-6 23:01:28
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来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴% P$ D- P! ?0 |" H9 ~: m& V
(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)# d, y5 _: {3 D, F. Y' @
摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体) J ?1 _4 b* {
硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间
: w8 H; d4 @8 c4 C+ _3 o3 H和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化
* F) C& S* o6 V$ s0 I- [5 e4 e度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %: @' w# _4 u/ ^" U. V+ K" a* N
的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.
* `4 L5 e d- u" c8 P" H; z( a关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)# J. u9 e; u6 M
PACC: 7340L ; 7360F ; 8115H0 \6 v0 z. R, C! B2 q; _9 \$ Y9 g6 \
中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
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