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《晶体硅太阳电池铝背场的研究》
; U+ E, \5 g3 B/ B) D# N* W( jPDF格式
$ n+ [. `. G7 h, R2 e彭银生 刘祖明 陈庭金
. L; V$ k. n7 s) K" S+ i（云南师范大学太阳能研究所）
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2 p% a5 `( r6 d/ K/ ]摘 要:% W0 G2 \5 D3 u5 s8 F$ _9 w
5 U# ?0 G- O. o, z# ]文章比较了两种不同铝浆在相同的烧结条件下，得出两种不同铝浆的烧结情况，通过电镜扫描分析了两种铝浆所含杂质元素及铝浆剖面情况，得出烧结平整性较好，颗粒较小与硅片接触较好以及不含其它杂质复合中心的铝背场，其电池的开路电压和长波光谱响应要好。该部分研究对工业化生产具有较大的参考价值。) i f9 S' q* I8 g$ @$ D
关键词:9 `7 ~, a2 P% T# l: F: \
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 铝背场 光谱响应 开路电压
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[ 本帖最后由 新洁电子 于 2007-10-31 08:57 编辑 ] |
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发表于 2007-10-30 20:25:56
