如何测量IGBT、GTR模块？

xcvcx

参数是啥，范围，一般规格和型号。谢了

lljyes

测量好坏吗?IGBT的好测,就用电阻档和二极管二个档位就可以了!

anxingyiyuan

测量好坏吗?IGBT的好测,就用电阻档和二极管二个档位就可以了

ymkmqv

补充下若全导通就是被击穿了。

cylzwx

  IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给 PNP 晶体管提供基极电流,使 IGBT 导通.
5 \) ?" s  @$ B, `: B: u: x反之,加反向门极电压消除沟道,流过反向基极电流,使 IGBT 关断. IGBT 的驱动方法和 MOSFET
/ ?" Y) s% B6 }9 ]- D; K基本相同,只需控制输入极 N 一沟道 MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性.
    当  MOSFET 的沟道形成后,从  P+ 基极注入到  N 一层的空穴(少子),对 N 一层进行电导调制,减小 N 一层
的电阻,使 IGBT 在高电压    时,也具有低的通态电压.
      IGBT 的工作特性包括静态和动态两类:
' J! |- e; S1 v( \; A      1 ．静态特性 IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和    开关特性.
      IGBT 的伏安特性是指以栅源电压 Ugs 为参变量时,漏极电流与    栅极电压之间的关系曲线.
输出漏极电流比受栅源电压 Ugs 的控 制, Ugs 越高, Id 越大.它与 GTR 的输出特性相似．也可分为饱和    区 1
3 O! P' Y+ B9 X% i0 [、放大区 2 和击穿特性 3 部分.在截止状态下的 IGBT ,正向电    压由 J2 结承担,反向电压由 J1 结承担.如果
无  N+ 缓冲区,则正反    向阻断电压可以做到同样水平,加入 N+ 缓冲区后,反向关断电压只    能达到几十伏水平
6 x/ ^, D8 m5 v  M8 j2 t,因此限制了 IGBT 的某些应用范围.
* Y) g7 \, O; Q$ Y6 ^' S$ S( ~      IGBT 的转移特性是指输出漏极电流 Id 与栅源电压 Ugs 之间的    关系曲线.它与 MOSFET 的转移特性相同,
0 v' a7 |. M) K' [$ E当栅源电压小于开启电    压 Ugs(th) 时, IGBT 处于关断状态.在 IGBT 导通后的大部分漏极电    流范围内, Id
与 Ugs 呈线性关系.最高栅源电压受最大漏极电流限    制,其最佳值一般取为   15V 左右.
      IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系. IGBT   处于导通态时,由于它的 PNP 晶体管为宽基区
晶体管,所以其 B 值    极低.尽管等效电路为达林顿结构,但流过 MOSFET 的电流成为   IGBT 总电流的主要部分.
此时,通态电压 Uds(on) 可用下式表示
* A, C/ N/ ]. P: E* O9 D: TUds(on) ＝ Uj1 + Udr + IdRoh  ( 2 - 14 )
  式中 Uj1 —— JI 结的正向电压,其值为 0.7 ~ IV ;
: C4 e, d! y7 [+ }1 P/ m) T- S  Udr ——扩展电阻 Rdr 上的压降;
  Roh ——沟道电阻.
; \) n1 v# P6 t1 H  j8 Z% I2 [6 }  通态电流 Ids 可用下式表示:
  Ids=(1+Bpnp)Imos         (2 - 15 )
* N0 k# M2 Z  @+ _  x  式中 Imos ——流过 MOSFET 的电流.
7 P. e( R  b: j  由于 N+ 区存在电导调制效应,所以 IGBT 的通态压降小,耐压   1000V 的    IGBT 通态压降为    2 ~  3V     
+ L3 V! h" @% FIGBT 处于断态时,只有很小的泄漏电流存在.
  2 ．动态特性 IGBT 在开通过程中,大部分时间是作为   MOSFET 来运行的,只是在漏源电压 Uds 下降过程后期,
PNP 晶体    管由放大区至饱和,又增加了一段延迟时间. td(on) 为开通延迟时间,   tri 为电流上升时间.实际应
. p: Y8 ^# x: o* d7 A( ~用中常给出的漏极电流开通时间 ton 即为  td (on)  tri  之和.漏源电压的下降时间由 tfe1  和 tfe2 组成,如图
6 o! U* W5 i' y5 a6 ?2 - 58 所示     
/ i; W! U  @6 aIGBT 在关断过程中,漏极电流的波形变为两段.因为 MOSFET 关断后, PNP 晶体管的存储电荷难以迅速消除,造成漏
- r5 L: a5 {& w* O极电流较长的尾部时间, td(off) 为关断延迟时间, trv 为电压 Uds(f) 的上升时间.实际应用中常常给出的漏极电
$ Q8 _: J( C+ T流的下降时间  Tf  由图 2 - 59 中的  t(f1)  和 t(f2) 两段组成,而漏极电流的关断时间
t(off)=td(off)+trv 十 t(f) ( 2 - 16 )
式中, td(off) 与 trv 之和又称为存储时间.
+ R0 K- {0 [) i! |+ s6 i) a粗测IGBT放大性能可以用下面方法
1. 场效应管检测(SFP9630、IRFS630)：
; Z2 `7 ?: I6 f( r5 zP沟道场效应管以SFP9630为例，万用表置于二极管档位，按下表检测：
6 N. I# ]; l0 z; Q8 R0 B* b

表3.9－2 P沟道场效应管

* ~6 p6 \1 |3 ~, }先三脚短路后进行下列测试
# x& A1 m# f6 H" m0 u, y4 `. E

表笔连接 2 i4 j  Z3 Q# c5 J		读数 3 g/ p% w' T' v- }3 z; T	评判	引脚示意图 " u& N- y. e. z1 Y; P
红－S、D : G9 k* B, y7 _1 ]+ y3 h	黑－G 7 [1 ?. P9 F  ~  x1 `9 N5 H& u3 z	无穷大	好
红－G	黑－S、D	无穷大	好 1 C. t+ E0 K, x
红－S " ~! A. M0 i7 h- |; D	黑－D	无穷大	好
红－D	黑－S	0.5读数	好 " a& K7 h% O9 t: P
红－S # V& c9 `+ W7 m. k; T9 `3 D2 ]	黑－G ' [) Z! S' I! x6 U! ]8 F! e	无穷大 ' U0 K# @4 y" i9 Q# }	红－S不变，黑－D，有0.8读数，好
三只脚短路后重新测试才有效，以上测试结果属正常，否则不正常。   E! z+ H: }9 p

N沟道场效应管以IRFS630为例，万用表置于二极管档位按下表检测：
7 Y- \7 `2 h. Z' }# Z- I5 M) e

表3.9－2 N沟道场效应管

先三脚短路后进行下列测试
, S5 B( W+ }9 y3 H2 s( h. r! \5 e( E

表笔连接 : w  [$ O: f; N! O  m+ B; C		读数	评判 ! w- b) U  W5 w	引脚示意图
红－G	黑－D、S	无穷大 - Y7 o- @' \# [$ a  Y  u' A+ x	好 8 P( [- {2 g0 X	& [: H- z9 l! R: W7 P8 R% l( d
红－D、S	黑－G	无穷大	好 ' G2 f: N* u7 A2 _& W" ~1 B
红－S	黑－D	0.5 " X' {  c7 W1 h8 p: _& I- N	好
红－D : h! h$ o. U+ B+ X5 W+ ~	黑－S 9 q) ~8 s& I* G# J) L	无穷大	好 3 O  B7 H7 m' }* J4 T/ z* j7 K( G
红－G + T- s" U: h/ y0 [! Z	黑－S 0 y; E% r8 b3 R1 W	无穷大 ; P! H! C* W3 q6 h	黑不变马上转红－D，有0.8读数，好
三只脚短路后重新测试才有效，以上测试结果属正常，否则不正常。 " F6 O( D" L  V+ a  ]( z  E. N

，
，
, ?/ [) h' s5 Q! o" J0 v- f
% B( C( t) |* e/ a1 l[ 本帖最后由 cylzwx 于 2008-3-22 08:51 编辑 ]

hs249032213

楼上方法原理是是什么呢？

ymkmqv

5楼的方法真有意思，是实践出来的吗？