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PCB镀覆工艺控制( a! B) u) I! E4 a! v
一. 显微剖析简介:
* r! H. x' p# V显微剖析是评定镀层厚度、应力、分散性、多层板的内层连接、蚀刻引起的侧蚀、钻孔
1 P5 L* I6 G3 T$ V0 i1 G$ n4 x质量及可焊性等。显微剖析是PCB 镀覆工艺控制的一个重要组成部分。显微剖析断面是从
. L* a8 F, ?/ f8 K" w, B一块PCB 钻石锯剖切下来的专门试验断面。把这种断面镶嵌在塑料中,并砂磨、抛光,然7 V8 E: z2 ?- }" y
后在金相显微镜下检查。大多数PCB 的断面剖切是在金属化孔上进行的,就可以进行上述( f0 a0 P6 k$ ?+ V, j6 r& n9 ~- F
的评定工作。4 m: v$ N- |1 G" i( y2 R, B
要镶嵌的试样,是距孔边沿或孔线边沿约1/8英寸的地方采用钻石锯或剪下来的(如果
& l# D" e( Z. V4 O条件比较好可采用45或30 度角斜切这样可视面会增加,且可兼顾直切与横剖的双重性)。$ b8 V) [% G, W+ e& u; G
多数镶嵌塑料,无论冷固化的或热镶嵌的均可采用。用热镶嵌塑料就必须购买镶嵌机。选择
; R4 d2 V8 n' f" ^# r& R8 t* _镶嵌塑料,在很大程度上将取决于试样材料的成分、要检验的面积以及为检验所必须的镶嵌$ Y4 D+ e2 G: |
质量。8 U# X0 F4 t4 q9 s* r ]0 D0 j
一旦试样已经镶嵌好,为了进行最终检验,要经过几个处理步骤。这几个处理步骤可以; g3 s0 n7 `0 l. K% ?* V: ^: E" g
概括为粗磨、细磨、初抛光和细抛光。一般是使用一种8英寸圆盘式电动抛光机。在研磨过
3 `/ B: l! o# `/ K5 w5 E5 b7 e程中需用水,以便带走所有的残屑。电动研磨机是可以变速的,低速可用于砂磨,高速可用9 S/ E9 l" a/ g; @2 G# s& c! `2 Q+ Z
于抛光。镶嵌好的试样,首先用60 号粒度的盘式砂布研磨,直至孔被开始磨破为止。接着
8 B- h- Z: f7 a" i5 S+ I( g用180号粒度的砂纸,将孔完全磨破。再用320号粒度的砂纸将孔砂磨到一半,最后用600) w% J8 w: w+ s7 h: @3 e% n
号粒度的砂纸去除深的划痕。4 {" O2 B; |6 ?; d& M* ?" O% m1 X0 B) v
初抛光使用中号的棉绒抛光布。对于高速抛光,手边应有一系列的氧化铝抛光膏。在整* `' W1 f4 _+ t3 i8 q( [
个抛光阶段,抛光布都应该用微细抛光液保持润湿。初抛光阶段应用1微米的氧化铝,随后7 }" ^# A% M0 L- ?/ S! j
用0.3微米的氧化铝。精抛光,应该把抛光布取出,换上显微抛光布,应该用0.05微米的氧% ]% B$ e7 I8 n( U; z
化铝作为精抛光的工作介质。此时的切面应该既平滑又光亮。
' I% z6 ]& p/ m8 }8 b' w为了去除断面上可能引起错误判别的任何腻在上面的铜建议采用下面的蚀刻剂配方进: l6 {4 e, v T
行微蚀:
; E% Z/ c. f8 \6 j/ L, y重铬酸钾 2克
" |7 p0 Y% u' r' s% M% |: k# ?. Q+ \水 100毫升
5 o/ n2 ^3 e! [- ^( _* k氯化钠(饱和溶液) 4毫升4 a$ v- p" j5 K
浓硫酸 12毫升
: K' {' v& U4 k8 g+ S6 w4 |这是旱期的微蚀方法,会使锡铅层发黑,现在常用氨水法得到的铜面结晶细腻,锡铅面
" j' K. ~0 c9 L# f仍呈洁白。配方如下:
0 M+ @/ ^1 {* l [5-10cc氨水+45cc纯水+2-3滴双氧水1 b8 m. n/ y' x
混合均匀后即可用棉花棒沾着蚀液,在洗净擦干后的切片表面轻擦约2-3秒钟,注意铜
0 J1 ?6 f1 b5 O4 t9 Y% y$ ^1 h/ C面会发生气泡现象。2-3秒后应立即用纯净水、卫生纸清洗擦干,勿使铜面继续变色氧化。7 z, a; k K0 v8 I- z
即时用高度显微镜下检验,有取样保存必要的此时须立即摄影标样保存。 |
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