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发表于 2009-5-21 22:45:46
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来自： 中国四川成都
摘 要 利用蚀刻平板印刷技术与喷墨印制技术相结合制作薄膜电路。提供了非常高分辨率的蚀刻平板印刷技术用于制作晶体管源电极和漏电极、部分互连和电路电极,可以使用高导电材料。利用喷墨印制技术形成半导体区、绝缘体区、栅电极、特别是横跨点互连的其它部分互连的图案。在喷墨印制技术中能够使用各种不同材料,特别在使用塑料基底时,实质上缓解了与使用多个蚀刻平板印刷步骤相关联的校准困难。 - D2 H9 L7 _* E" q, w
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申请人 精工爱普生株式会社
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地址 日本东京 8 ^& c% a8 a- Y5 H8 a7 p( P" I5 i# b
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发明(设计)人 武生川濑 ; ]. h; _4 t) D. ~& Z
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主分类号 H01L27/15 8 P* o C/ g3 e. V2 Y% |4 k
( b9 k' O0 C+ ]# d8 c4 M# d分类号 H01L27/15 G02F1/1333 G09G3/32
2 o* X! w2 F; l6 p% P9 f) I( A主权项 1.一种电路制作方法,包括利用蚀刻平板印刷技术在基底上形成包括排列于其它导电材料区之间的第一导电材料区的形成图案层;利用喷墨印制技术有选择地印制沉积绝缘体材料,使其延展到至少部分第一导电材料区上以提供绝缘体材料局部区域,使得提供的半导体或导体域延伸到该第一导电材料之上但与之绝缘,并延伸再其它它导电材料区域之间。 ) g" ?5 ?) g- \; n( X* f% F; K/ K
4 Q; T6 i' ?. L" V2 x) H公开号 1533607
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" E v0 I4 Z' ~$ t公开日 2004-09-29
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7 C9 J3 r& h0 E; ~: N. n专利代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 / L! h) ?4 t' ]+ A0 x3 t
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代理人 朱进桂 k" K# f1 w' U6 h- O1 O! Y
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颁证日 7 Z3 _$ X; e/ ^
# Y1 L3 }- Q% U优先权 2002.5.17 GB 0211424.7 & A: B2 U+ H1 Z3 ]7 r+ G
" p! ?, f' W6 h0 N国际申请 PCT/GB2003/002131 2003.5.19 0 Z5 t/ a/ T9 U7 N$ T8 Z
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国际公布 WO2003/098696 英 2003.11.27 / G# J8 j+ ~( j& M
5 E3 i2 _5 v+ I4 X5 E! p& P进入国家日期 2004.01.17 |
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发表于 2009-5-21 22:39:58
