|
|
发表于 2009-9-24 09:14:36
|
显示全部楼层
来自： 中国上海
现代材料计算与设计教程
5 X5 q% [1 _8 F% O2 c2 F目 录0 J. t: O) o6 k7 B- s1 H
第1章 计算机与材料设计
$ m8 W% K; A) `& g1.1 计算机与数值计算方法的进展
5 M% l7 p% U% w8 U" H1.2 材料计算与设计在新材料研究开发中的作用
" f% O; J6 |* A `. v! x; Z9 q1.3 计算机与分子、原子设计) a! t1 j w7 n# q5 E
1.4 材料设计与虚拟技术) x' u( L/ {# f
第2章 材料计算的物理基础0 K5 R% n5 j7 p( i8 v
2.1 氢分子的结合能
$ v2 v: i; l( m& R% U2 [2.2 物质的能带结构
S+ e6 z/ f6 g/ e3 L2.3 四面体法与态密度
8 j3 K: h3 q( d2.4 密度泛函概要
2 Q' v$ L, B/ [6 T7 \; a/ G 2.4.1 局域密度近似(LDA)
( |5 p- F0 p3 b2 j- x; c 2.4.2 局域自旋密度近似(LSDA)
g/ n1 Q2 y' Y. g' a' u 2.4.3 局域密度近似方法的局限与改进. F* p# i' g! v8 \ Q+ J/ T8 S
2.5 凝胶模型与金属的功函数& d8 R) A8 Q9 r$ W+ N- a
2.6 原子嵌入法(EAM)
+ d2 |- t% B: w5 _$ V2.7 能带计算初步
& B6 G. u. Y8 i: }; T+ {& @; O$ }附录A
6 }$ a; d6 ?) V! u' |/ T; \/ V# A附录B+ }* `3 d/ h4 R7 B* \* B
第3章 计算机模拟基础
5 Q3 S. K, R0 k% \, y# {: x) C$ S3.1 计算机模拟的意义
5 u* t, R& ]0 ~/ [% T3.2 分子动力学方法的基本思想0 [8 W8 J8 Q" c' J# i1 i0 r
3.2.1 经典分子动力学方法) D( I. {0 I3 C5 x) [7 b
3.2.2 恒温方法. o! Y7 n4 }$ _7 z- H
3.2.3 恒压方法) o, E& Y- M3 k' U) @9 B/ N
3.2.4 ParrinelloRahman方法* A* t4 W7 I/ [( h- G
3.2.5 CarParrinello方法
& @" s# v d# X! p2 s$ f9 c3.3 表面原子结构) `8 |; t. I/ ~, o3 R
3.4 固体的原子扩散
& a7 B0 R* @- p& A% B! z) g3.5 晶体生长模拟: @+ O9 {0 R- U. Z" o4 b
3.6 HellmannFeyhman力的计算
% ?9 L' R, _5 k6 p, T! s$ M附录' Z' E& i, c) v! N1 n
第4章 蒙特卡罗方法. @0 G) D( n+ q* O) @; a$ H
4.1 引言( ^& r( u" V' P% n; Y, ]
4.2 蒙特卡罗方法基础; x6 S! A* v, e$ x1 h3 h
4.2.1 随机过程: X% ?, B, ?) R7 j; U
4.2.2 马尔科夫(Markov)过程$ ~% g2 ?% A+ a% [, H
4.2.3 各态历经(Ergodic)问题. j; |$ {& }( s6 |9 i
4.3 蒙特卡罗模拟算法& T5 m) G9 C2 I# U9 p
4.3.1 随机数的产生
" G, r+ I ~' ^# C) P 4.3.2 随机变量的简单抽样4 Z% \% h* g, W# E5 ~
4.3.3 重要抽样法
% @7 _; `! K+ L1 P9 S2 h3 Y 4.3.4 弛豫过程的计算
" F+ @& F2 n% A( F7 x4.4 应用举例
0 N" O' K, S6 c2 g$ A, S 4.4.1 经典粒子系统
- R; Q. v" k' y6 O& I2 U6 H 4.4.2 逾渗问题) [) S; c+ x& D) Q* R" t
4.4.3 高分子体系* A; i: Z9 K: V F1 a) e8 A2 D
4.4.4 经典自旋系
9 b1 C3 E: `9 s 4.4.5 量子蒙特卡罗方法* G9 D( d% ?" b. z
4.4.6 核的形成5 z3 Y& q4 h m
4.4.7 晶体生长
2 ^% a6 ]; z' K( s) N9 U 4.4.8 分形体系(Fractal System)% H1 A \4 _5 I$ `, s. @8 j7 ]* Z
第5章 经典分子动力学方法
* q! A5 Q, Z! y/ G0 a& N5.1 引言' ?, j/ [0 `, W, |7 e; M
5.2 分子动力学方法计算初步
5 g. z& Z; }5 Z" ^! K& b 5.2.1 分子动力学方法主要技术概要# A1 m7 w& C$ a' }" o# H9 G0 H: m
5.2.2 质点系的基本方程(NTP系综)
, x7 [) n. i% c 5.2.3 质点系的基本方程(μVT系综)
t7 v* _; S- v0 p 5.2.4 约束系的基本方程(NEV系综)
4 B. h5 |3 S3 S- x# f7 }3 x/ I 5.2.5 边界条件问题& e3 {0 E0 P5 I, L5 F
5.2.6 力的计算方法- u q( I2 o) Z, H# {% Z
5.2.7 数值积分方法介绍0 [% N, N- v6 B8 V/ h1 b
5.2.8 模拟结果的分析方法) l0 f1 P! |6 A3 V/ v. P
5.3 物质的势函数8 A' i: l2 M6 J+ s
5.3.1 势函数的分类
! ~# |( \; F8 x: H/ F6 `! Z 5.3.2 对势: z0 A x! p5 H" w8 g
5.3.3 对势函数中各参数的确定方法- ?" M( p0 g( b" O$ l
5.3.4 对泛函势) ?$ ^ X- v) |4 p2 N
5.3.5 团簇势* P, @/ m8 e1 Y, S; F* h
5.3.6 团簇泛函势
( s8 d& X0 N/ {- u$ S, k1 z7 ?& k& P 5.3.7 分子间模型势9 [) {. X) S7 i1 {
第6章 第一性原理分子动力学方法
+ M' |. Y' @$ a Y0 {3 r% g6.1 引言
; S0 V/ N; k9 `5 k6.2 多电子体系的电子态! f- z( ~4 ]: N
6.2.1 全同多粒子体系量子力学
( j% V3 s+ [/ R7 @ 6.2.2 HartreeFock近似
2 }* P1 F1 n. e3 O 6.2.3 密度泛函理论/ r4 ]( v9 `6 }1 ?+ d- t! `3 k
6.2.4 能带计算
6 _8 h4 u* `- X$ y4 u+ Z ^6.3 多原子体系动力学# y$ P: ^2 N, w
6.3.1 CarParrinello方法" m/ R g5 a7 V1 g% V
6.3.2 展开基系的选择
" x, y" |9 J+ K2 {5 W6.4 应用举例+ c$ @5 C) \8 \ k8 t5 h- w: U
第7章 陶瓷材料设计
+ h# h% S$ \& q. c# J& V. |% S7.1 陶瓷材料中有关设计的概念及方法论$ ]+ j3 t6 ?3 l6 f
7.1.1 何谓材料设计6 B4 ?. b; l4 _. Y. Y+ X
7.1.2 材料设计的方法论
$ F `( {& B: J, I1 n 7.1.3 特性设计及其方法问题; z' o z4 v6 G) [) X: t# q0 j
7.1.4 考虑陶瓷结构的情况6 N( ?* Q- J& B$ Y/ A, Y+ Z4 }
7.1.5 组分是主要特性的情况% _# \) C) o7 P
7.2 玻璃的材料设计
- s& m" `8 d& ^# X* q/ A 7.2.1 玻璃材料设计的数值计算法# l A0 d' }) x: K* q
7.2.2 玻璃的各种功能设计
4 \- U* ~$ c/ N# G7.3 陶瓷材料的特性设计, y4 r8 B& _; f2 J9 \1 g+ t; @2 ]
7.3.1 陶瓷材料设计的基本框架2 q l0 O* h. C7 U- H
7.3.2 平衡晶相的预测7 q7 d( z+ O6 m
7.3.3 复合氧化物陶瓷的物性预测; n( t3 X. n |( w6 \! ~! f
7.3.4 复合组织和复合原则简论+ K0 ^+ w2 j( \1 G" C0 K, A! a
7.4 陶瓷材料合成方法的设计
$ ~- d' D. h! v N! t1 g5 { 7.4.1 取向性烧结体的合成法设计: D& T: O+ k& z: Y0 [- S
7.4.2 陶瓷微粒的外形设计
* K+ ?5 D* _( F; p& T+ Z: j 7.4.3 利用薄膜技术进行微结构的设计
# [4 x A, b- [7.5 小结
$ K1 q6 |4 [9 A- v' a i第8章 半导体材料设计
! m( Y% z% s" y9 Z5 ?8.1 引言
7 g5 W# X! A# g6 m8.2 电子能带结构和半导体物性
/ Q4 {5 l% s- k2 f5 c1 A5 X& h. J 8.2.1 晶体结构
9 ]$ `( {( P Y% | 8.2.2 电子能带结构
7 X- H4 [( r, } v. @$ c 8.2.3 电子能带结构和物性
# E5 C& C9 V' Q8 T& x0 ^4 x/ k+ I8.3 电子能带结构的修正& y5 w+ u" i' Q: E7 I$ R- l3 Q. t
8.3.1 混晶化法
2 n, ~( D4 M/ `5 O( u 8.3.2 异质结结构
. r& S9 O) |( j$ V8 A J: K2 |% _ 8.3.3 超晶格
M- z( i$ U9 C7 n. s) v3 G5 \: n 8.3.4 应力及形变效应, {" X3 p% U# M! a3 E( _( ` n
8.4 器件与材料设计
0 s' p6 I# ^+ B; W 8.4.1 电子器件
7 V. y. v! j4 l- V 8.4.2 光器件1 e x* V) G; H5 B8 \( N8 H
8.5 小结
3 Q% ^ h& q1 Z L- l" t- T第9章 材料强度与断裂的模拟
: z, F( U/ |1 u- e% w. @- y9.1 材料强度的模拟% {& Q' `9 N0 p3 I
9.1.1 位错芯结构
) z7 b$ o9 R- F M5 n 9.1.2 粒界结构和强度
1 h+ S1 o- {0 p; T# g0 ~9.2 弹性各向异性和断裂强度9 W \/ s y2 W; e
9.3 晶体结构与机械性质
4 ~ J- g- N+ `9.4 新物质机械性质的预测0 `* j% U) c& o& M8 z1 m: N
9.5 断裂的模拟计算& Q3 H7 \( ~' _, {) J- ?
9.5.1 晶格格林函数法(Lattice Green Function Method，简写为LGF法)
7 B' V2 @; b* A; Q* J) b d' _ 9.5.2 裂纹的结构
/ ^. K- s' E" ` 9.5.3 裂纹扩展的元过程
3 j: E& [! h/ ~4 W 9.5.4 位错发射! H3 X% `+ L& k% ]4 V- k/ U- S
附录9 z! ?% g7 U' v9 ?0 l
第10章 物性预测与新材料设计9 S0 b% M& R8 H) \* m5 N2 p( Z
10.1 合金的晶格常数和生成能' t# h- I; N0 i* F' D( o3 S) ~; h
10.1.1 纯金属体系6 r4 m' M9 c8 Q
10.1.2 二元合金系$ |+ Y; ^5 ]" [: j* q" m& b
10.2 关于半导体和离子晶体的结构预测* Y$ p3 H& N2 r5 ?
10.2.1 半经验的电子论方法 T- X1 g$ e' J' H1 D n
10.2.2 马德隆(Madelung)能量的计算7 Z8 Y3 M1 S8 g3 p
10.3 多层膜及人工超晶格
& T8 u! @( y7 j' v3 H% Y" T6 G, H10.4 碳原子团簇和新物质
# J- Y* R+ c A. w* z' T10.5 高压下形成的新物质(同质异形SiO2)- D) L# L) c e1 C( h" Z
10.6 表面新物质层
4 k% } F7 P" }- r0 q10.7 平衡状态的计算与预测* w# b2 y0 p; a1 ?
10.8 ConnollyWilliams方法(CWM)1 l. P. o% T5 J
10.9 集团变分法(CVM)的程序说明
9 V8 _% }7 f3 b2 n* }附录
/ { I. n$ r/ N7 G$ a主要参考文献 |
评分
-
查看全部评分
|
[复制链接]
发表于 2009-9-23 07:07:47
楼主