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[真空技术] 真空镀膜技术及设备两百年发展历史二

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发表于 2010-12-6 17:58:55 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自: 中国浙江湖州

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20世纪的前50年

, i; A( j9 z! p' `% M1904年, 圆筒上溅射镀银获得专利(Edison)。 4 T9 R' n# o. Z6 U
1907年, 开始研究真空反应蒸发技术(Soddy)。 1913年, 吸附等温线的研究(Langmuir,Knudsen,Knacke等)。5 k/ p$ K, A8 Z1 n* l5 Z7 l! x
1917年, 玻璃棒上溅射沉积薄膜电阻。7 z- M2 |4 T) h# e
1920年, 溅射理论的研究(Guntherschulzer)。
* d7 L) h5 V* N1928年, 钨丝的真空蒸发(Ritsehl,Cartwright等)。
; k% |* ^3 p5 s) m( v. \% v1930年, 真空气相蒸发形成超微粒子(Pfund)。* i+ y- Z5 e" [0 C& O+ r; ?, V, R
1934年, 半透明玻璃纸上金的卷绕镀(Kurz,Whiley); 薄膜沉积用的玻璃的等离子体清洗(Bauer,Strong)。
: n2 U9 o3 w6 [, M( `, }; E1935年, 金属纸电容器用的Cd:Mg和Zn的真空蒸发卷绕镀膜研究成功(Bausch,Mansbridge); 帕洛马100英寸望远镜镜面镀铝(Strong);光学透镜上镀制单层减反射膜(Strong,Smakula); 金属膜生长形态的研究(Andrade,Matindale)。2 J# i  F/ x# Q  k
1937年, 使用铅反射器的密封光束头研制成功(Wright); 真空卷绕蒸发镀膜研制成功(Whiley); 磁控增强溅射镀膜研制成功(Penning)。
0 n/ ^) \# x& m; w+ ^8 M" S1938年, 离子轰击表面后蒸发取得专利(Berghaus)。1939年, 双层减反射膜镀制成功(Cartwright,Turner)。
* G" ?, t8 \( H1 T; y4 |! |( v) A0 d1941年, 真空镀铝网制成雷达用的金属箔。
# E7 ~3 ~: u2 L* X7 K1942年, 三层减反射膜的镀制(Geffcken); 同位素分离用的金属离子源研制成功。' e9 H& Z# I/ U9 x9 b
1944年, 玻璃的电子清洗研制成功(Rice,Dimmick)。! Z/ ?$ ^! _7 ]8 [
1945年, 多层光学滤波器研制成功(Banning,Hoffman)。& a8 i$ w( B8 ?$ W+ I
1946年, 用X射线法吸收法测量薄膜的厚度(Friedman,Birks); 英国Goodfellow公司成立。6 p" J3 e8 o" H9 g2 }
1947年,200英寸望远镜镜面镀铝成功。
) H1 W4 z+ Y% r* f/ C6 f% D: a1948年,美国国家光学实验室(OCLI)建立;沉积粒子的真空快速蒸发(Harris,Siegel);用光透过率来控制薄膜的厚度(Dufour)。) C; s% V0 d* ?; g) {& j
1949年,非金属膜生长形态的研究(Schulz)。 , t, V1 a3 j- q
1950年,溅射理论开始建立(Wehner);半导体工业开始起步;各种微电子工业开始起步;冷光镜研制成功(Turner,Hoffman,Schroder);塑料装饰膜开始出现(holland等)。% ^+ u% K# ~( s
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1913年, 吸附等温线的研究(Langmuir,Knudsen,Knacke等)。5 p' `% |0 |  y2 Z2 x* B; @
1917年, 玻璃棒上溅射沉积薄膜电阻。
6 T7 h- T3 A* A# d* `& W1920年, 溅射理论的研究(Guntherschulzer)。0 M# M- _& P5 O8 ?/ q
1928年, 钨丝的真空蒸发(Ritsehl,Cartwright等)。2 H9 n$ p/ E7 ^
1930年, 真空气相蒸发形成超微粒子(Pfund)。
. O. I' c' m1 G+ H  x1934年, 半透明玻璃纸上金的卷绕镀(Kurz,Whiley); 薄膜沉积用的玻璃的等离子体清洗(Bauer,Strong)。
8 y% P+ K$ \4 P8 i1935年, 金属纸电容器用的Cd:Mg和Zn的真空蒸发卷绕镀膜研究成功(Bausch,Mansbridge); 帕洛马100英寸望远镜镜面镀铝(Strong);光学透镜上镀制单层减反射膜(Strong,Smakula); 金属膜生长形态的研究(Andrade,Matindale)。* Z* K% K! P' ~8 [( l3 b& h5 i
1937年, 使用铅反射器的密封光束头研制成功(Wright); 真空卷绕蒸发镀膜研制成功(Whiley); 磁控增强溅射镀膜研制成功(Penning)。3 D1 H8 {" t% J/ S. g
1938年, 离子轰击表面后蒸发取得专利(Berghaus)。1939年, 双层减反射膜镀制成功(Cartwright,Turner)。 : l" p7 }1 e2 m' ]
1941年, 真空镀铝网制成雷达用的金属箔。% Y, K7 P; p0 }
1942年, 三层减反射膜的镀制(Geffcken); 同位素分离用的金属离子源研制成功。- R! d5 V( h+ A1 y, R
1944年, 玻璃的电子清洗研制成功(Rice,Dimmick)。
( Q; `: c- k+ @+ T9 U1945年, 多层光学滤波器研制成功(Banning,Hoffman)。# `: S# n+ C4 Q0 ^4 J
1946年, 用X射线法吸收法测量薄膜的厚度(Friedman,Birks); 英国Goodfellow公司成立。- P! N8 T- T, K+ L1 X
1947年,200英寸望远镜镜面镀铝成功。
1 b, Q: O' K! a6 W' }/ Q1948年,美国国家光学实验室(OCLI)建立;沉积粒子的真空快速蒸发(Harris,Siegel);用光透过率来控制薄膜的厚度(Dufour)。5 F2 V9 v1 R. m7 ^
1949年,非金属膜生长形态的研究(Schulz)。 7 Z4 }4 ~. a2 S$ P/ i2 I
1950年,溅射理论开始建立(Wehner);半导体工业开始起步;各种微电子工业开始起步;冷光镜研制成功(Turner,Hoffman,Schroder);塑料装饰膜开始出现(holland等)。
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