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本帖最后由 唐昕晨 于 2013-2-25 16:19 编辑
2 S' \( x; E' B. V# s5 z9 q! q7 s# c) N S
台历<图文教程> D$ `3 l' R1 o4 j Z N
长话短说,直接来步骤: & _9 q& d4 P# W
第一步:绘制一直径为直径15的圆柱,长200。
" C' b6 r# r& N: Y' o1 e
, P& J* A9 z4 J6 N M: T
. z {: V8 [ Z% q8 A$ ] F第二步:转到俯视图,如图尺寸绘制对象。
8 v, C% c ?* G, l* R8 d
3 e$ u: F0 h" E6 w
( F4 T3 Z5 v/ s; ?5 _( k6 n第三步:如图对第二步步绘制的对象进行修剪。
$ X0 h# \: u7 e" W# H* ^6 u7 D
# o9 C. M' o4 U) h1 c( H
+ r4 L* `6 o, S0 L: C0 f第四步:用 “投影到UCS”<PROJECTGEOMETRY>命令,把二维对象投影到圆柱体上。
" v/ t1 b" {6 s5 O# ^
+ {! s9 P* s9 L9 K, M7 Z b- Z# p+ C+ u( N
+ G3 O% Y- @- h4 T
并对投影曲线进行编辑,如图:
5 R6 u; z& _ t( k4 N- w+ Q' r" K
/ ~4 n6 [: A1 ~9 W+ |* I0 Y
: g( _% ]6 l, f4 C2 v5 p9 Q
第五步:绘制一直径0.8的截面,用扫掠命令对截面进行扫掠。
[: K& e e0 M6 |1 U$ G3 D
' z4 i8 _) b+ s4 P
" g5 e7 D( S1 Y9 v% L9 f
第六步:用“阵列”命令,对扫掠对象进行阵列,阵列个数为22,间距为9。6 ]& Y2 o( Q6 c( z% \
1 p$ O$ _* @3 P5 [' I0 l: @
: @% \! [% d3 L& q+ _如图,对实体前后两端进行修整。3 ~0 W$ J# c( @ ?8 P
( y. |5 P7 |9 ~) t& G: D$ _2 X' ~; |& O. K
第七步:切换到左视图,根据尺寸绘制对象,如下图。
6 E" R) b% w- [8 v# Q6 r/ [6 o
$ V1 {- e4 Q `$ \
; d' i, W7 O* R+ M9 T+ g3 A/ v第八步:拉伸第七步绘制的轮廓,拉伸距离为200,并用“偏移曲面”<SURFOFFSET>命令,对曲面进行曲面偏移(注意偏移形式为:两侧,实体),距离为1。
6 ]- c& p# p7 z: E8 A" ~3 k
: e4 g) O( G. u
4 f8 k5 y) r5 t) Q' }9 c第九步:移动坐标到正面的平面,如图,并绘制待拉伸的矩形(5*5)并阵列。2 L, p$ Q, x9 e; r& J/ [. j
/ v. }# B% v- y- N3 |* v% Z- Q/ ]6 @+ b2 D1 d& l
第十步:镜像第九步的阵列矩形,最后拉伸并差集。/ D) ]; u2 D* h3 d
" v9 w: C3 E: p: i& m, A6 `" Q; w- c' y1 K
效果图
- I! u1 p9 W9 Z9 h: |4 l
/ s D. Y6 T7 d
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