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发表于 2007-9-6 23:01:28
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来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴
% E5 P$ R, c2 f(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)- R) ?$ { l% r0 I) g
摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体
- n8 z/ H" h/ d. m1 I W" U+ C- c硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间3 _/ d+ A% D- u
和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化
4 n6 J, }4 l5 @. n度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %
) ^- Z& d3 j3 N7 m9 Z的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.% N& E4 M: I* Z- S8 R0 [5 [3 Q0 b
关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)
+ N$ g4 P1 A# _0 U [: dPACC: 7340L ; 7360F ; 8115H A9 R$ G( k6 @8 o4 r. k
中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
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