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硅中注入硼的扩散) j( [# a% y, `' d4 ]' I
孔凡志, 文勇军, 廖家欣, 唐贵平
- a% X4 U/ g6 w" o" ?1 h" s ^9 \(长沙电力学院物理与信息工程系,湖南长沙 410077)
B( s) A& V; y7 C# l: l0 k1 W8 u1 n, Z- p* ]/ e
中图分类号:TG113. 22 文献标识码:B 文章编号:100627140 (2003) 0220083204
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! n8 i; Y+ d# q x5 k X摘 要:硼是半导体材料中最主要的杂质,而精确控制杂质浓度剖面是半导体工艺的关键问题之一. 对硼在硅中的扩散从理论与实验的结合方面进行了系统的讨论.* E ^& C' y: y* U# G8 S ~
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关键词:扩散;快速热退火;辐射损伤;Fair 理论7 s- ?% {! K2 F9 S# {
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$ Z. g% _2 w2 Z' B# U- p0 f1 u来源：《长沙电力学院学报( 自然科学版)》第18 卷第2 期 2 0 0 3 年5 月% P/ e( h2 N1 P
6 \* p- b# r! e+ W[ 本帖最后由 清风明月008 于 2007-10-30 21:42 编辑 ] |
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发表于 2007-10-30 20:27:13
