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发表于 2008-7-1 13:38:14
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来自： 中国陕西西安
LED手电筒
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1 g8 V6 ^0 f; I/ x; K, I, r* GLED手电筒是以发光二极管作为光源的一种新型照明工具,它具有省电、耐用、亮度强等优点。
* ~6 Z* ?' b4 v% G" N: t（一）LED发光原理
* v2 }2 U( w! B4 M1 q发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。
b( Z5 y' c4 n假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。 $ R* h0 m& g8 a' m8 B3 s( ?! M
理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即 " y3 q: \, n; H2 [. [* i4 g1 T
λ≈1240/Eg（mm） 0 P" e8 i. d6 c7 }
式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。
5 y+ p9 A6 J: T8 c7 Y* H0 ^（二）LED的特性 ! |1 q# }# R8 I% T5 c2 }: j- X
1．极限参数的意义 0 y) x- {6 X' D! L1 q
（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。 ! r3 y' j8 k! I3 ^" x9 w1 z2 z
（2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。
& H1 k( Y U# S, w: S/ ? ^5 [/ l7 r（3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。 & i3 Y; v' V! C1 k
（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。 |
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发表于 2008-6-28 15:07:47
