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发表于 2008-7-1 13:38:14
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来自： 中国陕西西安
LED手电筒, [3 `$ Y/ Q b* d* l
% Y. x5 b# ?( [LED手电筒是以发光二极管作为光源的一种新型照明工具,它具有省电、耐用、亮度强等优点。
8 ~' M* y" t! R- R' {（一）LED发光原理 & O2 r$ U" R& ]# D' d/ k
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。 3 ~( J9 T: y% G& e9 q. F# N7 `. A' I
假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。 : m `" _7 u9 P1 O% `
理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即
; b* |& S* B! {5 m. f+ }λ≈1240/Eg（mm）
9 c2 X2 X" t6 B& F; M* p式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。 ; O; s4 \9 A. J2 H% B
（二）LED的特性 " J7 X! ~; H, @4 X6 g/ }6 J/ l* _
1．极限参数的意义 8 J% M& w+ a0 `$ T4 z) D! h f- F
（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。 , m) v5 M- W& c$ Z% [
（2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。
' O I7 k$ P6 K, ]（3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。 2 a1 Q* L) `) o. v+ A$ ~2 G
（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。 |
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发表于 2008-6-28 15:07:47
