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1、在fcc晶体中,hcp沉淀容易在层错上形核是因为:$ U3 h, f) p) {+ x. p
& l' h; k" G+ T' F, ?& W, e* s7 _/ V( z
A) 层错形核的|DGd|大;
, W' B! k) q1 n6 F& P& \B) 层错形核的|DGv|大;
* L. C' {+ ^0 O, o, G; q( k/ ` N" h% r/ w7 j3 C \" \
C) 层错形核的|DGs|小;
% F2 Z; Y+ w" F. uD) 层错形核的 (界面能)小。
5 j: G% O6 o$ o" }
4 o5 M9 \" s/ x3 X; V* Z2、在A,B两组元组成的置换固溶体中,若ra>rb,两组元的热力学因子+ W1 |$ G( u# f& S- S( i% y
FA 和
2 M; q" V, z" K& j, a4 w2 tFB 之间的关系是:) w d6 K6 u% ?- v; J7 o
! A! D' m" I/ r* |# AA) FA>FB2 q3 g; K( h6 j( _2 d, }
B) FA<FB. S2 ? l" A9 H; X: o
' [9 x" ? }( q5 Q1 iC) FA=FB
& P6 O8 l* e D8 K- P1 V
( X! u! T2 J; i7 z, [& b' b# MD) 无确定的数量关系$ Z1 l3 F& u% _5 k
; G# v* H ]% ?+ }# ^( J6 Z1 P0 n
3、晶界作为高扩散率通道的作用和" j" b" ? ]; o& m7 o# C2 Y
% m* ?* z+ ]3 r% X( `' t4 H; a; C
A) 温度有关,温度越高晶界作用越明显;' ?6 l& {# ~$ D' j; y; ^4 G
B) 温度有关,温度越高晶界作用越不明显;
7 `: K, t* }8 ]$ }9 ?7 @+ N
6 ]( Y" I" g. B7 n6 i jC) 溶质浓度有关,浓度越高作用越明显;
' k) j" l2 x/ _; OD) 溶质浓度有关,浓度越高作用越不明显。
% c: ]3 d7 V, Z' G: h' M7 p: Q ; z9 L8 L- U5 @3 e0 G4 [
4、小角度扭转晶界和倾转晶界的区别是
' T1 l3 e( l/ G* a5 O) c- a8 X9 v* v. ]
A) 倾转晶界的转动轴和晶面垂直,扭转晶界转动轴和晶面平行;
* ^) G) u9 ?" d! M1 n& ^ Z2 A. [! d4 N) H
B) 倾转晶界由两组螺位错交叉组成,扭转晶界由一组刃位错组成;9 b. a/ B7 z! {
* u% L1 u y6 q6 G" f* ^& ^
C) 倾转晶界由混合位错组成,扭转晶界由一组刃位错组成;
9 d6 M. K% X9 H: l) N3 ?
! u+ l& } i+ V. C6 e/ k9 uD) 倾转晶界由一组平行刃位错组成,扭转晶界由一组交错的螺位错组成。 |
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