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发表于 2010-3-10 16:40:16
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来自： 中国广东深圳
PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。
6 Y' Y- [' e/ ~* B+ j) ?# b, y' g5 v* U+ v 当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。
$ t3 A4 e [7 O% ~ 雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。
8 Q1 r& s7 T5 G: v, K 利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管
+ M+ F5 L) |# n2 O0 V 雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。, ^0 R/ H( f, E* d1 B$ {/ P
齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大！！的PN结才做得到。（杂质大电荷密度就大）
4 t7 g* N* C& _ 一般的二极管掺杂浓度没这么高，它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中，就是稳压二极管& I* p$ s2 D4 E) N
它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。 |
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