真空镀膜技术及设备两百年发展历史二

luxuliang

2 m/ _7 P0 G2 @20世纪的前50年
8 I. o: ]* U; v% M' V+ B6 M1 y1904年, 圆筒上溅射镀银获得专利(Edison)。
8 ~* D1 q* K6 u7 E1 D; q3 P; f4 y1907年, 开始研究真空反应蒸发技术(Soddy)。 1913年, 吸附等温线的研究(Langmuir,Knudsen,Knacke等)。
1917年, 玻璃棒上溅射沉积薄膜电阻。
1920年, 溅射理论的研究(Guntherschulzer)。
1928年, 钨丝的真空蒸发(Ritsehl,Cartwright等)。
5 i$ k' T% M' r& x5 ^- Z$ i1930年, 真空气相蒸发形成超微粒子(Pfund)。
2 W4 ]# N4 X9 _  T9 E  z/ z1934年, 半透明玻璃纸上金的卷绕镀(Kurz,Whiley); 薄膜沉积用的玻璃的等离子体清洗(Bauer,Strong)。
1935年, 金属纸电容器用的Cd:Mg和Zn的真空蒸发卷绕镀膜研究成功(Bausch,Mansbridge); 帕洛马100英寸望远镜镜面镀铝(Strong);光学透镜上镀制单层减反射膜(Strong,Smakula); 金属膜生长形态的研究(Andrade,Matindale)。
, @9 M6 v4 G# |' |  _1937年, 使用铅反射器的密封光束头研制成功(Wright); 真空卷绕蒸发镀膜研制成功(Whiley); 磁控增强溅射镀膜研制成功(Penning)。
1938年, 离子轰击表面后蒸发取得专利(Berghaus)。1939年, 双层减反射膜镀制成功(Cartwright,Turner)。
# E8 f. E- c& q2 f3 F& t1 p1941年, 真空镀铝网制成雷达用的金属箔。
4 p$ `% f# u9 f* v. H1942年, 三层减反射膜的镀制(Geffcken); 同位素分离用的金属离子源研制成功。
! C+ a0 d+ b5 ~! F, v! G1944年, 玻璃的电子清洗研制成功(Rice,Dimmick)。
1945年, 多层光学滤波器研制成功(Banning,Hoffman)。
1946年, 用X射线法吸收法测量薄膜的厚度(Friedman,Birks); 英国Goodfellow公司成立。
' t" B8 @9 U2 _9 p8 ?; W1947年,200英寸望远镜镜面镀铝成功。
. z6 }5 P) @1 V* ?, N+ L" ^: S1948年，美国国家光学实验室（OCLI）建立；沉积粒子的真空快速蒸发（Harris，Siegel）；用光透过率来控制薄膜的厚度（Dufour）。
1949年，非金属膜生长形态的研究（Schulz）。
1950年，溅射理论开始建立（Wehner）；半导体工业开始起步；各种微电子工业开始起步；冷光镜研制成功（Turner，Hoffman，Schroder）；塑料装饰膜开始出现（holland等）。

4 K$ z9 `5 ^7 o6 g# J8 ]# {7 p* N1913年, 吸附等温线的研究(Langmuir,Knudsen,Knacke等)。
- M8 j: j- H9 a% ^& s# g' a- b1917年, 玻璃棒上溅射沉积薄膜电阻。
, E# v7 X% o: |; D( j6 D7 s* T1920年, 溅射理论的研究(Guntherschulzer)。
1928年, 钨丝的真空蒸发(Ritsehl,Cartwright等)。
9 m$ b+ p2 X3 j# f+ l% v, t8 O! m( P1930年, 真空气相蒸发形成超微粒子(Pfund)。
% a( Y) _0 k, p9 N$ @1934年, 半透明玻璃纸上金的卷绕镀(Kurz,Whiley); 薄膜沉积用的玻璃的等离子体清洗(Bauer,Strong)。
6 W8 S+ g8 o7 Q" q  i1935年, 金属纸电容器用的Cd:Mg和Zn的真空蒸发卷绕镀膜研究成功(Bausch,Mansbridge); 帕洛马100英寸望远镜镜面镀铝(Strong);光学透镜上镀制单层减反射膜(Strong,Smakula); 金属膜生长形态的研究(Andrade,Matindale)。
1937年, 使用铅反射器的密封光束头研制成功(Wright); 真空卷绕蒸发镀膜研制成功(Whiley); 磁控增强溅射镀膜研制成功(Penning)。
7 T; F, x7 d# A/ A. P$ K. a8 ^& X1938年, 离子轰击表面后蒸发取得专利(Berghaus)。1939年, 双层减反射膜镀制成功(Cartwright,Turner)。
% J8 s' a$ c5 Q6 A1941年, 真空镀铝网制成雷达用的金属箔。
1942年, 三层减反射膜的镀制(Geffcken); 同位素分离用的金属离子源研制成功。
! _* k6 U+ I, {) ~) U' X; O# n1944年, 玻璃的电子清洗研制成功(Rice,Dimmick)。
1945年, 多层光学滤波器研制成功(Banning,Hoffman)。
1946年, 用X射线法吸收法测量薄膜的厚度(Friedman,Birks); 英国Goodfellow公司成立。
& k* a$ G+ G% L4 M5 t) o+ M0 p1947年,200英寸望远镜镜面镀铝成功。
1948年，美国国家光学实验室（OCLI）建立；沉积粒子的真空快速蒸发（Harris，Siegel）；用光透过率来控制薄膜的厚度（Dufour）。
1949年，非金属膜生长形态的研究（Schulz）。
1950年，溅射理论开始建立（Wehner）；半导体工业开始起步；各种微电子工业开始起步；冷光镜研制成功（Turner，Hoffman，Schroder）；塑料装饰膜开始出现（holland等）。