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[新技术] 交替中间热处理BST薄膜介电性能研究

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发表于 2013-11-29 16:12:20 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自: 中国黑龙江哈尔滨

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交替中间热处理BST薄膜介电性能研究
. V4 }6 V6 l7 A9 J3 }& S廖家轩,魏雄邦,潘笑风,张佳,傅向军,王洪全" R: H8 w( Z7 u& u) J% q
(电子科技大学电子科学技术研究院,成都610054)
( I# L4 k" K8 X, p& P% h3 C* a; A6 W* s摘要:用溶胶一凝胶(Sol—Ge1)法制备了三种钛酸锶钡(Bao Sr0 TiO ,BST)薄膜:常规的四层薄膜,在逐层制备过程中,对首层薄膜进行中间热处理(Preheat.treatment,PT)的四层薄膜及间隔或交替地对奇数层薄膜进行中间热处理(称为交替中间热处理(Alternate—preheat—treatment,APT))的八层薄膜.用XPS研究薄膜表面成分化学态,用SEM和AFM观察表面形貌及晶化,并进行了介电性能测试.结果表明,常规薄膜介电性能差;经PT,薄膜裂纹和缩孔显著减少,形貌明显改善,表面非钙钛矿结构显著减少,介电性能明显提高;经APT,薄膜形貌进一步改善,平均晶粒大小约30nm,非钙钛矿结构进一步减少,介电损耗明显降低,介电稳定性和介电强度大幅度提高.APT 为制备退火温度低及结构均匀致密的纳米晶BST薄膜提供了新方法,可满足低频实用要求.退火温度对薄膜厚度的影响也进行了讨论.
4 [) `7 ~1 Z/ C- F% X0 p关键词:中间热处理;交替中间热处理;钛酸锶钡薄膜;介电性能
- o4 M  }8 l7 x# K0 ]( i中图分类号:TN38 文献标识码:A

交替中间热处理BST薄膜介电性能研究.pdf

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