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[书籍] 纳米粒子与纳米结构薄膜

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发表于 2006-12-26 08:35:52 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自: 中国江苏常州

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纳米粒子与纳米结构薄膜3 g% P* N( O4 a4 p+ E/ v
编    号: 5664
, y/ r+ T9 X1 }8 I著 作 者: [美]J.H.芬德勒
6 U) P8 A) b$ O4 [1 I3 ]出 版 社: 化学工业出版社
0 Z2 g: Q# O& |8 X3 Z书    号: ISBN:7-5025-4604-9/T( Q, l+ J) r/ I! F! W2 A; O
出版日期: 2003-8-1, B7 {; ?$ E5 L( a$ N3 H
书 店 价: 509 t8 `5 G$ s& w+ g
人    气:  594
0 k" o+ v6 M+ f/ [1 [5 f
# s! o$ ?4 Z7 n  j
3 y+ U2 C0 [8 ~6 p& R
http://shop.china-fireren.com/images/cha1.gif 产品介绍:
http://shop.china-fireren.com/images/spacer.gif
简介 % L- ]& B% J/ G3 ~8 ]1 U
     本书是由世界著名纳米材料学家J.H.芬德勒主编,作者包括38位活跃在纳米科学研究领域的知名学者。这些作者分别从自己所熟知的研究领域,全面描述了纳米粒子与纳米结构薄膜的制备方法、独特性能、应用前景和发展趋势等。本书是纳米粒子和纳米结构薄膜材料方面的一本较系统、完整的参考书,可供纳米科研领域的科技工作者及高等院校的师生参考。  
# m! j2 p8 i; f$ ~5 E" N) W8 N目录 ( M6 i% e/ W- `% \9 Q( U0 i/ Q
第1章  电沉积量子点——通过半导体与衬底之间的晶格失配控制其尺寸/ N4 P* s* Y* s+ J( C
  1.1  引言
. |1 C: k6 K. u6 {8 _: d& b  1.2  CdSe/Au体系
$ m* |3 R* a- r% x$ @: ]0 D  1.3  半导体点阵间隔的调整——Cd(Se,Te)/Au2 x# @" v& |4 n/ Y9 ^: o; [3 j% u  V
  1.4  衬底点阵间的调整——CdSe/Pd. N* f' L& D# h) v) O
  1.5  在Au和Pd衬底上沉积较厚的CdSe层# L! b* z$ g; ~, F( A( q. w9 M, B
  1.6  其他半导体-衬底组合体系8 m7 C- ]1 V9 G- z# i9 x% U6 Z' A
  1.7  带隙测量
8 C" N( t" M2 o4 S  1.8  结论与展望 第2章  有序体系的纳米粒子取向生长
9 x9 t1 s: b6 R! e2 H; u  2.1  导言0 K/ K3 u+ ^4 c& M8 l
  2.2  在自装单(分子)层和多层膜上的取向晶体生长! q" m: G, S/ k  f6 B/ c
  2.3  在LB膜上的外延晶体生长
5 T" G  o  S' G8 B  Z  2.4  朗缪尔单层膜为模板的处延晶体生长
6 N5 `. L2 @1 @. d( ]# c: [  2.5  在(分子)层膜上的氯化钠晶体生长
; L* M4 x: g. @. D! F  r  2.6  生物矿化
2 _0 K( M3 l9 A$ o) t4 h& J5 b第3章  超晶格和纳米复合材料的电沉积
: l0 O& P4 b7 A  3.1  导言
9 z- x( ~  s& h+ u0 P3 r  3.2  无机材料的电沉积+ s' V. S& F4 x. @9 n" a3 K7 O4 }
  3.3  纳米固体(相)材料的电沉积
! |2 Y/ s0 l/ ^/ f: D6 V/ ?$ f3 C  3.4  超晶格的分析表征
% \, _2 C1 ^1 Z0 h0 K  3.5  外延生长的原位(In Situ)研究( ]3 q8 I5 q( k! Y6 j
  3.6  纳米复合材料的电沉积
$ H5 d" p$ f" ]/ j. u1 @; `  3.7  展望; e( Q3 s: f/ d7 c0 i* U: G; F$ R. r
第4章  在有序化表面活性剂组装中纳米粒子生长的尺寸与形态控制0 c- P, h" W. T! z0 B' [
  4.1  引言) q4 m: K9 X( s+ \7 O0 m4 q. M
  4.2  逆胶束
  E# S( s7 {) Q0 I5 {' j; h  4.3  水包油(型)胶束
$ n( W& x$ n, w- P  4.4  互联式体系
% R' p/ W- j0 k$ w% x) F) R  4.5  平衡态洋葱型和平面型层状相
/ {! u/ n+ P+ {7 W4 S# g/ M  4.6  球粒
! ]7 U3 L3 z3 a, O1 ]' x  4.7  二维(2D)和三维(3D)超晶格中纳米粒子的自组织化# H8 R" Q: Q9 P7 V
  4.8  结论
% e9 J! J" Q' Z# i  A) E/ d7 \6 W$ D  ; r0 ~5 Z, B) H1 |+ Q; R. A+ p' M
第5章  硅纳米团簇的合成
2 c/ x8 W" V8 ?, H% c7 |0 o% @% b  5.1  引言
# o+ g- B& d) J7 Y+ R  5.2  量子限制
6 v8 X* f2 t2 ]0 n6 C3 P" {  5.3  半导体纳米团簇的研究进展) q) p3 D7 X1 A1 A+ U
  5.4  硅纳米团簇的合成方法; H3 q- D0 k6 J' ]% u
  5.5  分析表征+ ^& p. _' Y1 w. ^
  5.6  小结+ m; M. W/ n7 d  Z
第6章  富勒烯与纳米粒子的二维晶体生长1 O5 D& Z- O( ^  H6 d
  6.1  引言
# o  R) {- K. e4 N: R/ I& B  6.2  纯富勒烯
9 [( x' |/ w6 d# R! k+ Z  6.3  官能化富勒烯衍生物的LB膜+ `) S' H1 Z, ]7 \8 L
  6.4  富勒烯共价键连接自组装单层薄膜和官能化富勒烯衍- ?& r" L3 r3 j( y
  6.5  展望与应用+ p. Z. y0 f0 |0 H/ X
  $ s! E3 |- l0 f! t3 H. f: v  r5 m
第7章  嵌段共聚物胶束中的金属胶体:形成及材料性质( o/ G( p$ w: O5 y% j+ t+ g9 B& Q
  7.1  引言
' E9 x" ?3 a0 A  7.2  双亲嵌段共聚物作为胶体专用保护体系的研究现状
- ?2 o; Q+ i+ ]0 o, X9 B  7.3  双亲嵌段共聚物及其聚集行为化学;胶束填充及束内键联
! W& _7 m8 n) {. A! A  7.4  在有机溶剂中存在双嵌段共聚物时的金属胶体合成, d3 R) `5 T" l7 O4 e
  7.5  在水或相关极性溶剂中存在双亲嵌段共聚物时金属胶体的合成; ]) r  a3 S2 z; P; |
  7.6  双亲嵌段共聚物稳定化金属胶体的催化性质
* m% T' L% b& s5 l) o  7.7  双亲嵌段共聚物稳定化Co胶体的磁学性质- f! n) S. a4 U) c# W3 m$ |$ c" T0 ~
  7.8  结论与展望
) B5 M/ }) |/ ?9 C0 H) O  . U, w9 [$ c! Q- a# E( Y, E; S/ \% g
第8章  硅纳米粒子的等离子体生长及晶化处理$ k- x  E  K- t$ O4 K3 R% W
  8.1  导言
( M& r& M1 _" N3 K  8.2  实验方法7 W, Q7 V3 ?1 \
  8.3  硅纳米粒子的结构
, {7 H! }0 J7 |4 H( W4 D  8.4  硅纳米粒子合成及相关性质
& k/ X. ?6 i; H, W  8.5  硅纳米粒子的加工处理
- s, v$ a: F5 x# w1 \  8.6  结论与展望
: z* z2 Q0 l4 G2 d+ j6 x  
9 P3 v, m7 E/ [/ {" ?4 L第9章  纳米结构半导体薄膜中的电子转移过程" K- _' g; M2 F' f4 @
  9.1  导论, V* |& c1 V. f
  9.2  纳米结构半导体薄膜制备及其表征
3 b( _% m: S6 I: T! J: Q* Q  9.3  光学性质- [/ U: U) x' m2 L$ t5 N
  9.4  半导体薄膜中的电子转移及其机理
( e) w- q3 W' p+ v" }: c) d  9.5  结论
" Z" Y8 ~+ D' h: r9 g9 F  
% V! K8 X& d. B% o& n% ~6 ]第10章  在纳米孔薄膜中的纳米粒子模板合成方法* h) _) a2 |3 X
  10.1  引言! y0 H1 Y$ t* W
  10.2  所使用的薄膜# ~& O# t) D% q1 _- ^
  10.3  模板合成之方略
4 k+ f( _* ]3 _, f+ r$ X  10.4  复合纳米结构
) T: X, N" l8 l2 [  10.5  金纳米粒子的光学性质  ( g* r/ ?& V. ?' M
  10.6  纳米电极系统(NEE)
2 B0 b8 ?8 {8 Y, z9 h4 c4 g: _  10.7  金属纳米管薄膜
2 I% L& }4 X) r& d" \  10.8  半导体纳米管和纳米纤维9 X8 i, L+ L# j; p. D; }
  10.9  结论
- c- a: |* M2 \# q第11章  纳米粒子聚集体光催化特性与其结构形态的相关性研究- T' Y7 k* k5 D, u9 y6 P
  11.1  引言
5 s. z5 e; {: i$ {+ h9 F  11.2  TiO2气凝胶3 P+ v7 @& G: [2 W. s
  11.3  协同结构的演变' G/ O( M- P* _" w0 \
  11.4  量子效率+ s/ D9 G. T9 [* y3 f; p4 A: w8 ?
  6 Z7 g1 ]( S0 C, ]. h& i" o
第12章  Zeta(ζ)电势与胶体反应动力学8 \; i) g" E, |$ f
  12.1  引言" H& R0 f7 P- @
  12.2  金属氧化物周围的双电层(EDL)9 _: |; E! ], ?$ B0 V5 L' j6 x
  12.3  胶体电子转移动力学——理论
: k: A+ C8 @. U2 x2 U  12.4  胶体动力学——实验数据
* y; H6 m, g* \2 B3 q! |4 [. x  12.5  Zeta(ζ)电势对自由基捕获率的影响
, X# O8 D4 J* I& a2 [7 y8 x. T6 h) Z+ Z  12.6  胶体成核和纳米粒子稳定性
! w& l9 f9 w6 P6 L1 _/ L  . E' i6 E* r% J- b! k, J+ Q$ P
第13章  三维基体中的半导体纳米粒子  
* j& O; |" @4 z5 _$ t- g  13.1  引言
, m4 m* [) f9 [& _/ G  13.2  材料问题
% Z: D: v( Q, X  h  13.3  光学性质
+ M& |0 e! g6 ^( o  13.4  输运性质
- P6 m& o9 B. P& X& @" K3 c  13.5  展望  L; ~6 c# l; W0 u. `6 h5 e$ r. [
第14章  纳米金属氧化物半导体-溶液界面的电荷转移:电致变色-电池界面和光伏        打-光催化界面行为之间的力学和能量学联系5 N) H2 G- @0 N6 T4 h3 _
  14.1  引言& T! d6 u# \6 I% F2 p5 e
  14.2  电致变色1 M4 ~. ~9 Y# C
  14.3  光生伏打学! i; u) U; J; `2 W' {
  14.4  能量学方面的考虑
1 N+ T9 j% b. M  14.5  结论8 r3 h" n: }8 l
  
; l5 Q: e" F; }5 S第15章  纳米粒子中介型单电子导电性
) W* E; n3 [1 G' Q7 d4 e  15.1  引言
! I) L* @% q  D# Y  15.2  历史评述
+ y. X9 H7 F& h" ^8 h1 ~  15.3  单电子导电性) Z) c6 Y) O' B
  15.4  纳米粒子作中介的单电子导电性8 J7 X+ B: Z, [0 j5 @3 O' O
  15.5  结论9 k0 ~5 T3 C6 f9 q( {
  ! q" f) y6 r! a/ s( V
第16章  杂型超分子化学
6 Z5 J" i* U5 J$ E' ~! ~  16.1  引言! _7 M( f; D" R0 p$ \8 {. k- D% I% z1 r
  16.2  杂型超分子4 C/ s3 M7 z. q! f( E/ I
  16.3  杂型超分子组装
/ B; z% ~' ?% g& z9 w  16.4  杂型超分子化学和分子规模器件" S* w. b* n' p' G
  : Q" s% c. S' R  t* r# @' Q
第17章  沸石中的纳料团簇
, {; e3 J5 u$ a. X  17.1  引言
; z/ A; b3 n# c- u  17.2  在沸石主体材料中的进行纳米粒子的合成5 [. |1 h& _1 o+ ]% u2 L
  17.3  沸石主体材料中进行金属粒子和离子团簇的合成
$ z2 S5 J4 t- w& M  M  17.4  展望
' D+ q/ I% d  J/ B/ b: }8 x, m第18章  纳米粒子和纳米结构薄膜的研究现状与展望
6 H( {! n1 K# Y; F  18.1  引言$ Y3 g7 F1 S- M& X- L6 v; w7 _7 i
  18.2  纳米粒子和纳米结构薄膜的研究现状
% Z7 s: C! O/ m  k  18.3  半导体纳米粒子与其体相半导体性质的比较
: u  S1 _3 v* @4 x  18.4  发展趋势与展望 : A( {* W& i  e& q. o! o

7 k- l2 ~) u8 A, @4 |1 t共6个分卷  12MB4 g% n3 n5 H% S% n! b

3 f& G5 d& j& k6 f3 J' i/ ~# l) U( {& [1 J
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