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发表于 2007-9-6 23:01:28
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来自： 中国辽宁沈阳
张群芳 朱美芳 刘丰珍 周玉琴, }: C: S3 h9 J1 {4 V6 Z) N$ P& _
(中国科学院研究生院物理科学学院, 北京 100049)
A# K+ Y6 L+ l7 [6 ^摘要: 采用热丝化学气相沉积技术( HWCVD) ,系统地研究了纳米晶硅层(尤其是本征缓冲层) 的晶化度以及晶体# q4 b- u. y9 C" ^, F4 a$ r' Y
硅表面氢处理时间对nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池性能的影响,通过C2V 和C2F 测试分析了不同氢处理时间
! R! S3 x. r6 f( y和本征缓冲层氢稀释度对nc2Si ∶H/ c2Si 界面缺陷态的影响,运用高分辨透射电镜观察了不同的本征缓冲层晶化
5 j$ P2 C# u- a7 D! _+ i度的nc2Si ∶H/ c2Si 异质结太阳能电池的界面,优化工艺参数,在p 型CZ 晶体硅衬底上制备出转换效率为17127 %
; [7 d1 @+ ^! Z8 G3 A! k的n2nc2Si ∶H/ i2nc2Si ∶H/ p2c2Si 异质结电池.4 _) O0 x4 v9 U
关键词: 纳米晶硅; 异质结; 太阳能电池; 热丝化学气相沉积( HWCVD)4 e' `( u4 Z* v* T3 E4 c% \9 ]& H1 M* a
PACC: 7340L ; 7360F ; 8115H
7 Q) E- r5 Q8 p6 x/ Q5 T中图分类号: O475 文献标识码: A 文章编号: 025324177 (2007) 0120096204 |
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