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硅中注入硼的扩散
" B4 `/ E8 \, W( ^) P' i3 Q孔凡志, 文勇军, 廖家欣, 唐贵平
! F) h& a. H1 v. W(长沙电力学院物理与信息工程系,湖南长沙 410077)
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' c& Y8 Q3 \& \中图分类号:TG113. 22 文献标识码:B 文章编号:100627140 (2003) 0220083204
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8 h7 Q" q8 R: Z9 V1 W9 l摘 要:硼是半导体材料中最主要的杂质,而精确控制杂质浓度剖面是半导体工艺的关键问题之一. 对硼在硅中的扩散从理论与实验的结合方面进行了系统的讨论.
" b: M: u% m& c! |" w5 e. V2 [ 9 S7 ^" Q5 ?4 T4 m7 K0 Q
关键词:扩散;快速热退火;辐射损伤;Fair 理论
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9 c6 @, o" a* w2 @" _! s6 ]来源：《长沙电力学院学报( 自然科学版)》第18 卷第2 期 2 0 0 3 年5 月, [% t7 L! `# v! t
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[ 本帖最后由 清风明月008 于 2007-10-30 21:42 编辑 ] |
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发表于 2007-10-30 20:27:13
