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1、在fcc晶体中，hcp沉淀容易在层错上形核是因为：
5 p# U& O: u7 ^, c/ i; G6 O/ @- D* \+ [$ c% ^ l+ f1 b
A) 层错形核的|DGd|大；2 ?! {( Q& D R
B) 层错形核的|DGv|大；+ P4 @( p% T4 j5 p" p" l
) G8 D! j8 ]; z% t: C; O1 WC) 层错形核的|DGs|小；
{$ b7 s. d! ^, b) V5 dD) 层错形核的 (界面能)小。4 J( u& v& }* M' o7 i2 S3 @7 v
2 n3 F9 q. q+ W; ~2 C- ~2、在A,B两组元组成的置换固溶体中，若ra>rb，两组元的热力学因子+ }- I5 }5 _% c- H5 w- X
FA 和
6 t) J8 t) b3 O; U& RFB 之间的关系是：( f% h! u8 v. j7 z
* J/ _( A1 X1 ]3 zA) FA>FB! H, W. f$ `+ z* L
B) FA<FB6 f; C. `# b$ f" R5 V& l/ l% }
- Y' y1 A9 m; ?
C) FA=FB+ D: ^, t2 F1 w5 q
+ M' B7 \" {' g! O9 h
D) 无确定的数量关系, Y5 o, L. @* Z
?# W) e; D9 z+ m* @. O3、晶界作为高扩散率通道的作用和
" G) m) l# C$ V7 v/ l% O+ B+ t! t4 Q1 X
A) 温度有关，温度越高晶界作用越明显；
. x( |, Q& u2 i; C _* a( r+ S' PB) 温度有关，温度越高晶界作用越不明显；
: E& F2 B& g. b7 Z; H) y$ n) O4 H+ ^0 Z. Y% b2 e C$ V; B+ g
C) 溶质浓度有关，浓度越高作用越明显；# { t( U" i* E$ ]0 o2 \
D) 溶质浓度有关，浓度越高作用越不明显。
5 p1 F/ ?, P4 {1 G" n5 t1 I: m 9 M( j% `7 u" n: o
4、小角度扭转晶界和倾转晶界的区别是' l% Y; m; \4 d, s$ `( C- h( p
/ I* ~0 l6 ?* c: _2 \/ h h
A) 倾转晶界的转动轴和晶面垂直，扭转晶界转动轴和晶面平行；3 r R( u. U+ ?2 o
, `, b! h* _: l# D9 H# f' C0 a
B) 倾转晶界由两组螺位错交叉组成，扭转晶界由一组刃位错组成；3 v7 Q+ R$ `6 l
0 n* ]6 {. [ [C) 倾转晶界由混合位错组成，扭转晶界由一组刃位错组成；
! {% l% W" l" I' ^, E
0 g# q3 ~* O, G# y2 v; oD) 倾转晶界由一组平行刃位错组成，扭转晶界由一组交错的螺位错组成。 |
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发表于 2008-8-12 22:18:27