请教关于PN结的问题！

cdbzg

PN结的正向电流大致和两个因素有关系：电压和掺杂

电压一定时，掺杂越低，电流越大，而且主要取决于低掺杂一侧
% N3 y( p: m+ z- h
7 A. e% j. d7 N/ p; W那么，当掺杂越来越低，最终到不掺杂时，岂不是电流是最大的？这显然与事实矛盾
5 B5 Q' L; w0 e9 J( a
那么掺杂到底是多少时，可以得到最大的电流呢？

levelzhao

貌似 半导体掺杂越多,电流越大吧.而不是掺杂越低，电流越大

luotsh

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pangpang

半导体材料掺杂可以大大降低材料的电阻率。在一定范围内，掺杂浓度越高，电阻率也就越低。
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在使用不同的掺杂工艺，使其硅或锗单晶基片上一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，在两种半导体交界面附近形成PN结后，这时的主要矛盾就由电阻率的变化转化为PN结处形成的空间电荷区的反向电场强度。在一定范围内，掺杂浓度低，空间电荷区的反向电场强度也就较小，所以在施加正向电压时，相对电流就会较大。但这也有一定的限度，当掺杂浓度为零（实际上应为接近零时的某一值）时，这时的半导体材料不能形成PN结，就是一个通常意义上的半导体了。这也就是人们常说的从量变到质变的过程吧。

当然，掺杂浓度的变化还会影响到PN结的其它各项参数指标和性能。
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) V0 k9 ~7 J; `5 S: d[ 本帖最后由 pangpang 于 2009-5-23 19:04 编辑 ]

10ty

楼上分析得很对。

cdbzg

非常感谢4楼的解答！

hyj98321107

学习了，有收获

郝工在线

原帖由 pangpang 于 2009-5-23 18:56 发表 http://www.3dportal.cn/discuz/images/common/back.gif
6 E  L' D' D) i8 }半导体材料掺杂可以大大降低材料的电阻率。在一定范围内，掺杂浓度越高，电阻率也就越低。
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4 E0 K3 x  T' I% V
解答比较清晰，进一步的理解还需查阅有关半导体的专业书籍．