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10天前
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[讨论] 功率器件热性能的主要参数

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发表于 2009-8-11 19:12:36 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自: 中国上海

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功率器件热性能的主要参数
9 Q, X8 S$ ~9 y3 i% m* f功率器件受到的热应力可来自器件内部,也可来自器件外部。若器件的散热能力有限,则功率的耗散就会造成器件内部芯片有源区温度上升及结温升高,使得器件可靠性降低,无法安全工作。表征功率器件热能力的参数主要有结温和热阻
- r( N1 D4 E" X0 C7 ?5 v/ s  Z; ~器件的有源区可以是结型器件(如晶体管)PN结区、场效应器件的沟道区,也可以是集成电路的扩散电阻或薄膜电阻等。当结温Tj高于周围环境温度Ta时,热量通过温差形成扩散热流,由芯片通过管壳向外散发,散发出的热量随着温差(Tj-Ta)的增大而增大。为了保证器件能够长期正常工作,必须规定一个最高允许结温 Tj maxTj max的大小是根据器件的芯片材料、封装材料和可靠性要求确定的。5 Q) n3 @2 ^4 a) |, s5 j

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发表于 2009-8-11 20:31:54 | 显示全部楼层 来自: 中国贵州遵义
学习了,多谢!!!!
发表于 2009-8-11 21:36:16 | 显示全部楼层 来自: 中国辽宁大连
很好,简单明了。MITSUBISHI的和semikron的IGBT应用里有很详细的说明。
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